概述
TFF11XXXHN是一种低相位噪声、高频率精度的微波(Ku波段)在硅锗高Ft工艺中实现的本地振荡器发生器。此设备可用于许多应用,如电信设备、室外机用于卫星(VSAT)和其他应用。当应用倍频器或次谐波混频器时,频率范围可以是扩展到工作频率高达30Ghz的应用程序。
TFF11XXXHN评估委员会(EVB)旨在评估所述装置用于固定除法器比率;但是这个比率可以通过跳线设置来改变。
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概述
TFF11XXXHN是一种低相位噪声、高频率精度的微波(Ku波段)在硅锗高Ft工艺中实现的本地振荡器发生器。此设备可用于许多应用,如电信设备、室外机用于卫星(VSAT)和其他应用。当应用倍频器或次谐波混频器时,频率范围可以是扩展到工作频率高达30Ghz的应用程序。
TFF11XXXHN评估委员会(EVB)旨在评估所述装置用于固定除法器比率;但是这个比率可以通过跳线设置来改变。
| 器件型号 | 数量 | 器件厂商 | 器件描述 | 数据手册 | ECAD模型 | 风险等级 | 参考价格 | 更多信息 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| IPD90P04P4L04ATMA1 | 1 | Infineon Technologies AG | Power Field-Effect Transistor, 90A I(D), 40V, 0.0043ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252, GREEN, PLASTIC PACKAGE-3 |
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$1.68 | 查看 | |
| 2N7002PW,115 | 1 | NXP Semiconductors | 2N7002PW - 60 V, 310 mA N-channel Trench MOSFET SC-70 3-Pin |
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$0.24 | 查看 | |
| CRCW06034K70FKEAHP | 1 | Vishay Intertechnologies | Fixed Resistor, Metal Glaze/thick Film, 0.25W, 4700ohm, 75V, 1% +/-Tol, 100ppm/Cel, Surface Mount, 0603, CHIP, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT |
|
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$0.15 | 查看 |
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