引言
考虑以下场景:您正在设计宽带C类功率放大器并将其投入生产。在你的设计阶段,你要遵循所有的科学规则,还要深入研究你的电子技巧,以满足设计规范。你的设计在实验室里制造并测试成功。实验室里又建造了25个单元,它们的测试结果也很好。
确信设计和生产程序都令人满意,您就可以开始批量生产了。但当第一批单元达到RFtest时,就不符合规范。当你取回这些单元时,它们在实验室测试正常。这些放大器出了什么问题?可能什么都没有。这种情况,以一种或另一种形式,在非线性RF电路的设计和制造中非常常见。罪魁祸首是测试系统的相关性。0.5 dB的差值足以使非常好的单元失效,导致不必要且昂贵的重新测试甚至返工。更糟糕的是,一个半dB的错误将通过不符合规格且永远不应该发货的单元。
这种相关性误差将破坏更重要的功能,即保持产品连续性。1982年制造的设备应与1976年制造的相同型号设备性能相同。另一种说法是,在1982年的测试系统中测试的设备在1976年的系统中测试时应该产生相同的结果。当然,关键是射频相关性。
什么是射频相关性?简单地说,当在两个或多个测试站之间建立并连续遵守目标误差极限时,就会发生RF相关性。这种相关性对于非线性RF和微波功率放大器的成本效应生产至关重要,无论是在测试系统还是设备环境中,这些放大器的电路对其负载的阻抗都非常敏感。补偿衰减器中的插入损耗误差很容易,但补偿衰减器焊盘之间的输入阻抗差(即负载VSWR)的变化要困难得多。
让我们从经验和理论两个层面来研究射频相关性。