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射频MOSFET系列 射频功率场效应晶体管 N沟道增强型横向MOSFET 专为2110至2170 MHz的W-CDMA基站应用而设计。适用于TDMA、CDMA和多载波放大器应用。可用于PCN-PCS/蜂窝电台和WLL应用的AB类工作。
- 对于VDD = 28伏特，IDQ = 1300毫安，f1 = 2135 MHz，f2 = 2145 MHz，信道带宽= 3.84 MHz的典型双载波W-CDMA性能，在f1 -5 MHz和f2 +5 MHz处通过3.84 MHz BW测量相邻信道，通过f1 -10 MHz和f2 +10 MHz的3.84 MHz BW测量失真产品，峰值/平均值= 8.5 dB @ 0.01% CCDF概率。输出功率：33瓦平均值。 功率增益：12.5 dB 效率：25％ IM3：-37 dBc ACPR：-39 dBc
- 内部匹配，控制Q，易于使用
- 高增益、高效率和高线性度
- 集成ESD保护
- 设计用于最大增益和插入相位平坦度
- 能够处理10：1的驻波比，@ 28 VDC，2140 MHz，125瓦连续波输出功率
- 优异的热稳定性
- 使用系列等效大信号阻抗参数进行特性化
- 最高可达32 VDD工作
- 带有胶带和卷轴。 R3后缀=每个56毫米、13英寸卷轴250个单位。
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