MRF5S19100HR3, MRF5S19100HSR3 1930-1990 MHz, 22 W Avg., 28 V, 2 x N-CDMA Lateral N-Channel RF Power MOSFETs

2023/04/25 作者：恩智浦

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MRF5S19100HR3, MRF5S19100HSR3 1930-1990 MHz, 22 W Avg., 28 V, 2 x N-CDMA Lateral N-Channel RF Power MOSFETs

Designed for PCN and PCS base station applications with frequencies from 1900 to 2000 MHz. Suitable for TDMA, CDMA and multicarrier amplifier applications.

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恩智浦半导体创立于2006年，其前身为荷兰飞利浦公司于1953年成立的半导体事业部，总部位于荷兰埃因霍温。恩智浦2010年在美国纳斯达克上市。恩智浦2010年在美国纳斯达克上市。恩智浦半导体致力于打造全球化解决方案，实现智慧生活，安全连结。

恩智浦半导体创立于2006年，其前身为荷兰飞利浦公司于1953年成立的半导体事业部，总部位于荷兰埃因霍温。恩智浦2010年在美国纳斯达克上市。恩智浦2010年在美国纳斯达克上市。恩智浦半导体致力于打造全球化解决方案，实现智慧生活，安全连结。收起

MRF5S19100HR3, MRF5S19100HSR3 1930-1990 MHz, 22 W Avg., 28 V, 2 x N-CDMA Lateral N-Channel RF Power MOSFETs

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