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MRF6P23190HR6 2 x W-CDMA横向N沟道射频功率MOSFET

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专为频率从2300到2300的CDMA基站应用而设计2400兆赫。适用于WiMAX、WiBro和多载波放大器应用。适用于WLL应用的AB类和C类。

  • 典型的双载波W-CDMA性能:VDD=28伏,IDQ=1900毫安,Pout=40瓦特平均值,f=2390 MHz,信道带宽=3.84 MHz,标准杆数=8.5 dB@0.01%概率在CCDF上。功率增益14 dB排水效率23.5%,在3.84 MHz信道带宽下,IM3@10 MHz偏移量为-37.5 dBc,在3.84 MHz信道带宽下,5 MHz偏移时的ACPR为-41 dBc
  • 能够处理10:1 VSWR,@28 Vdc,2340 MHz,190瓦CW输出功率

特征

  • 以串联等效大信号阻抗参数为特征
  • 内部匹配,易于使用
  • 最高32 VDD操作合格
  • 集成ESD保护
  • 专为低内存效应和宽瞬时带宽而设计应用
  • 符合RoHS标准
  • 磁带和卷轴。R6后缀=每56毫米13英寸卷轴150个单位。
恩智浦

恩智浦

恩智浦半导体创立于2006年,其前身为荷兰飞利浦公司于1953年成立的半导体事业部,总部位于荷兰埃因霍温。恩智浦2010年在美国纳斯达克上市。恩智浦2010年在美国纳斯达克上市。恩智浦半导体致力于打造全球化解决方案,实现智慧生活,安全连结。

恩智浦半导体创立于2006年,其前身为荷兰飞利浦公司于1953年成立的半导体事业部,总部位于荷兰埃因霍温。恩智浦2010年在美国纳斯达克上市。恩智浦2010年在美国纳斯达克上市。恩智浦半导体致力于打造全球化解决方案,实现智慧生活,安全连结。收起

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