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扫码加入射频功率场效应晶体管、高强度N-沟道、增强型侧向MOSFET，这些高强度器件专为高VSWR工业（包括激光和等离子激励器）、广播（模拟和数字）、航空航天和无线电/陆地移动应用而设计。它们具有无与伦比的输入和输出设计，可在1.8至600 MHz的宽频段范围内使用。
特点
• 无与伦比的输入和输出设计，可在宽频段范围内使用
• 该器件可以单端或推挽配置使用
• 最大50 VDD操作
• 从30 V到50 V范围进行特征化，扩展功率范围
• 适合线性应用，并配以适当的偏置
• 集成ESD保护，具有更大的负栅源电压范围，以改善C类操作
• 通过串联等效大信号阻抗参数进行特征化
• 符合RoHS标准
• 带卷筒带和卷盘。R6后缀= 150个装置，56毫米带宽，13英寸卷筒。 有关R5带卷筒选项，请参见第12页。
| 器件型号 | 数量 | 器件厂商 | 器件描述 | 数据手册 | ECAD模型 | 风险等级 | 参考价格 | 更多信息 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 2N6073AG | 1 | Littelfuse Inc | 4 Quadrant Logic Level TRIAC, 400V V(DRM), 4A I(T)RMS, TO-225, LEAD FREE, CASE 77-09, 3 PIN |
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$0.92 | 查看 | |
| C0402C104K4RACTU | 1 | KEMET Corporation | Capacitor, Ceramic, Chip, General Purpose, 0.1uF, 16V, ±10%, X7R, 0402 (1005 mm), -55º ~ +125ºC, 7" Reel/Unmarked |
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$0.11 | 查看 | |
| GCM21BR71A106KE22K | 1 | Murata Manufacturing Co Ltd | Ceramic Capacitor, Multilayer, Ceramic, 10V, 10% +Tol, 10% -Tol, X7R, 15% TC, 10uF, Surface Mount, 0805, CHIP, ROHS COMPLIANT |
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$0.24 | 查看 |
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