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AFT09MS031NR1 宽带射频功率LDMOS晶体管-数据手册

2023/04/25
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AFT09MS031N和AFT09MS031GN是专为频率从764到941 MHz的移动双向无线电应用设计的。这些器件具有高增益、耐用性和宽带性能,非常适合在移动无线电设备中作为大信号、共源放大器应用的理想选择。

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C0402C104K4RACTU 1 KEMET Corporation Capacitor, Ceramic, Chip, General Purpose, 0.1uF, 16V, ±10%, X7R, 0402 (1005 mm), -55º ~ +125ºC, 7" Reel/Unmarked

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GCM21BR71A106KE22K 1 Murata Manufacturing Co Ltd Ceramic Capacitor, Multilayer, Ceramic, 10V, 10% +Tol, 10% -Tol, X7R, 15% TC, 10uF, Surface Mount, 0805, CHIP, ROHS COMPLIANT

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恩智浦

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恩智浦半导体创立于2006年,其前身为荷兰飞利浦公司于1953年成立的半导体事业部,总部位于荷兰埃因霍温。恩智浦2010年在美国纳斯达克上市。恩智浦2010年在美国纳斯达克上市。恩智浦半导体致力于打造全球化解决方案,实现智慧生活,安全连结。

恩智浦半导体创立于2006年,其前身为荷兰飞利浦公司于1953年成立的半导体事业部,总部位于荷兰埃因霍温。恩智浦2010年在美国纳斯达克上市。恩智浦2010年在美国纳斯达克上市。恩智浦半导体致力于打造全球化解决方案,实现智慧生活,安全连结。收起

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