AFT09MS031N和AFT09MS031GN是专为频率从764到941 MHz的移动双向无线电应用设计的。这些器件具有高增益、耐用性和宽带性能,非常适合在移动无线电设备中作为大信号、共源放大器应用的理想选择。
AFT09MS031N和AFT09MS031GN是专为频率从764到941 MHz的移动双向无线电应用设计的。这些器件具有高增益、耐用性和宽带性能,非常适合在移动无线电设备中作为大信号、共源放大器应用的理想选择。
器件型号 | 数量 | 器件厂商 | 器件描述 | 数据手册 | ECAD模型 | 风险等级 | 参考价格 | 更多信息 |
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BSS84PH6433XTMA1 | 1 | Infineon Technologies AG | Small Signal Field-Effect Transistor, 0.17A I(D), 60V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-3 |
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$0.46 | 查看 | |
B82498F3681J000 | 1 | TDK Corporation | General Purpose Inductor, 0.68uH, 5%, 1 Element, Ceramic-Core, SMD, 0805, CHIP, 0805, ROHS COMPLIANT |
ECAD模型 下载ECAD模型 |
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$1.02 | 查看 | |
MBRS130T3G | 1 | Rochester Electronics LLC | 1A, 30V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-214AA, LEAD FREE, PLASTIC, CASE 403A-03, SMB, 2 PIN |
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$0.48 | 查看 |
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