RF功率LDMOS晶体管 N通道增强模式侧向MOSFET 此63瓦对称多尔蒂射频功率LDMOS晶体管设计用于覆盖1805至1880 MHz频段的蜂窝基站应用。
- 典型的多尔蒂单载波W-CDMA性能:VDD = 28伏特,IDQA = 1000毫安培,VGSB = 1.2伏直流,Pout = 63瓦平均值,输入信号PAR = 9.9分贝@ 0.01%概率的CCDF。
特点:
- 在对称多尔蒂配置下进行生产测试
- 更大的负门源电压范围,以改善C类操作
- 设计用于数字预畸变误差校正系统
- 带卷和卷筒。R6后缀= 150个单位,56毫米带宽,13英寸卷筒