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AFT18P350-4S2LR6 RF功率LDMOS晶体管-数据手册

2023/04/25
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RF功率LDMOS晶体管 N通道增强模式侧向MOSFET 此63瓦对称多尔蒂射频功率LDMOS晶体管设计用于覆盖1805至1880 MHz频段的蜂窝基站应用。

  • 典型的多尔蒂单载波W-CDMA性能:VDD = 28伏特,IDQA = 1000毫安培,VGSB = 1.2伏直流,Pout = 63瓦平均值,输入信号PAR = 9.9分贝@ 0.01%概率的CCDF。

特点:

  • 在对称多尔蒂配置下进行生产测试
  • 更大的负门源电压范围,以改善C类操作
  • 设计用于数字预畸变误差校正系统
  • 带卷和卷筒。R6后缀= 150个单位,56毫米带宽,13英寸卷筒

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C2012X5R1V226M125AC 1 TDK Corporation Ceramic Capacitor, Multilayer, Ceramic, 35V, 20% +Tol, 20% -Tol, X5R, 15% TC, 22uF, Surface Mount, 0805, CHIP, ROHS COMPLIANT

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CGA5L3X7R1H475K160AE 1 TDK Corporation Ceramic Capacitor, Multilayer, Ceramic, 50V, 10% +Tol, 10% -Tol, X7R, 15% TC, 4.7uF, Surface Mount, 1206, CHIP, ROHS COMPLIANT

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C0603C104K5RACAUTO 1 KEMET Corporation Capacitor, Ceramic, Chip, General Purpose, 0.1uF, 50V, ±10%, X7R, 0603 (1608 mm), -55º ~ +125ºC, Bulk

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恩智浦

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恩智浦半导体创立于2006年,其前身为荷兰飞利浦公司于1953年成立的半导体事业部,总部位于荷兰埃因霍温。恩智浦2010年在美国纳斯达克上市。恩智浦2010年在美国纳斯达克上市。恩智浦半导体致力于打造全球化解决方案,实现智慧生活,安全连结。

恩智浦半导体创立于2006年,其前身为荷兰飞利浦公司于1953年成立的半导体事业部,总部位于荷兰埃因霍温。恩智浦2010年在美国纳斯达克上市。恩智浦2010年在美国纳斯达克上市。恩智浦半导体致力于打造全球化解决方案,实现智慧生活,安全连结。收起

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