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AFT05MS031NR1, AFT05MS031GNR1 宽带射频功率LDMOS晶体管-数据表

2023/04/25
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适用于频率从136到520 MHz的移动双向无线电应用。这些器件具有高增益、耐用性和宽带性能,使它们非常适用于移动无线电设备中大信号的共源放大器应用。

特点:

  • 适用于136到520 MHz的操作
  • 无与伦比的输入和输出,使其可以广泛利用于不同频率范围
  • 集成ESD保护
  • 集成稳定性增强
  • 宽带 - 全频段全功率支持:
    • 136-174 MHz
    • 380-450 MHz
    • 450-520 MHz
  • 225℃可靠的塑料封装
  • 出色的热性能
  • 线性度,适用于TETRA、SSB、LTE
  • 成本效益高的过模制塑料封装
  • 带卷轴胶带包装。R1后缀 = 500个单位,胶带宽度24 mm,13英寸卷轴。

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器件型号 数量 器件厂商 器件描述 数据手册 ECAD模型 风险等级 参考价格 更多信息
504M02QA100 1 Cornell Dubilier Electronics Inc RC Network, Bussed, 0.5W, 100ohm, 200V, 0.5uF, Through Hole Mount, 2 Pins, RADIAL LEADED, ROHS COMPLIANT
$14.74 查看
MMBTA42LT1G 1 onsemi 500 mA, 300 V High Voltage NPN Bipolar Junction Transistor, SOT-23 (TO-236) 3 LEAD, 3000-REEL

ECAD模型

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$0.05 查看
IHLP6767GZER680M11 1 Vishay Intertechnologies General Fixed Inductor, 1 ELEMENT, 68 uH, COMPOSITE-CORE, GENERAL PURPOSE INDUCTOR, SMD, CHIP, 6767, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT

ECAD模型

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$5.1 查看
恩智浦

恩智浦

恩智浦半导体创立于2006年,其前身为荷兰飞利浦公司于1953年成立的半导体事业部,总部位于荷兰埃因霍温。恩智浦2010年在美国纳斯达克上市。恩智浦2010年在美国纳斯达克上市。恩智浦半导体致力于打造全球化解决方案,实现智慧生活,安全连结。

恩智浦半导体创立于2006年,其前身为荷兰飞利浦公司于1953年成立的半导体事业部,总部位于荷兰埃因霍温。恩智浦2010年在美国纳斯达克上市。恩智浦2010年在美国纳斯达克上市。恩智浦半导体致力于打造全球化解决方案,实现智慧生活,安全连结。收起

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