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AFT09MP055NR1, AFT09MP055GNR1宽带RF功率LDMOS晶体管 - 数据表

2023/04/25
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RF功率LDMOS晶体管、高耐用性N-通道、增强型横向MOSFET,这些晶体管专为频率从764到941 MHz的移动对讲机应用而设计。这些器件具有高增益、耐用性和宽带性能,使它们非常适合于移动无线电设备中大信号、共源放大器应用。

RF功率LDMOS晶体管是一种高性能功率放大器元件,适用于广泛的通信系统。在移动对讲机等设备中,这些晶体管的高增益和耐用性特点可以支持稳定而清晰的信号传输,同时其宽带性能也使其适用于处理多种不同频率的信号。

这些RF功率LDMOS晶体管采用了增强型横向MOSFET结构,提供了更好的性能和可靠性。它们被广泛应用于移动通信领域,如移动对讲机、基站和其他无线设备中的功率放大器设计。

总之,这些RF功率LDMOS晶体管是专为移动通信领域而设计的高性能器件,具有高耐用性、宽带性能和高增益,适用于移动对讲机等设备中的大信号放大器应用。

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恩智浦半导体创立于2006年,其前身为荷兰飞利浦公司于1953年成立的半导体事业部,总部位于荷兰埃因霍温。恩智浦2010年在美国纳斯达克上市。恩智浦2010年在美国纳斯达克上市。恩智浦半导体致力于打造全球化解决方案,实现智慧生活,安全连结。

恩智浦半导体创立于2006年,其前身为荷兰飞利浦公司于1953年成立的半导体事业部,总部位于荷兰埃因霍温。恩智浦2010年在美国纳斯达克上市。恩智浦2010年在美国纳斯达克上市。恩智浦半导体致力于打造全球化解决方案,实现智慧生活,安全连结。收起

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