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MRFE6VP5300NR1, MRFE6VP5300GNR1 宽带射频功率LDMOS晶体管-数据表

2023/04/25
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这些高坚固性的设备是设计用于高驻波比工业(包括激光和等离子体激励器),广播(模拟和数字),航空航天和无线电/陆地移动应用。它们是不匹配的输入和输出设计允许宽频率范围利用,在1.8和600 MHz。

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0475890001 1 Molex Telecom and Datacom Connector, 5 Contact(s), Female, Right Angle, Surface Mount Terminal, Receptacle, ROHS COMPLIANT
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CRCW040222R0FKEDHP 1 Vishay Intertechnologies Fixed Resistor, Metal Glaze/thick Film, 0.2W, 22ohm, 50V, 1% +/-Tol, 100ppm/Cel, Surface Mount, 0402, CHIP, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT

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FDV304P 1 Fairchild Semiconductor Corporation Small Signal Field-Effect Transistor, 0.46A I(D), 25V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET,
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恩智浦

恩智浦

恩智浦半导体创立于2006年,其前身为荷兰飞利浦公司于1953年成立的半导体事业部,总部位于荷兰埃因霍温。恩智浦2010年在美国纳斯达克上市。恩智浦2010年在美国纳斯达克上市。恩智浦半导体致力于打造全球化解决方案,实现智慧生活,安全连结。

恩智浦半导体创立于2006年,其前身为荷兰飞利浦公司于1953年成立的半导体事业部,总部位于荷兰埃因霍温。恩智浦2010年在美国纳斯达克上市。恩智浦2010年在美国纳斯达克上市。恩智浦半导体致力于打造全球化解决方案,实现智慧生活,安全连结。收起

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