RF功率LDMOS晶体管、高耐用性N型增强模式侧向MOSFET,设计用于频率在136至520 MHz之间的移动对讲无线电应用。这些器件具有高增益、耐用性和宽带性能,使其成为移动无线电设备中大信号共源放大器应用的理想选择。
特点
RF功率LDMOS晶体管、高耐用性N型增强模式侧向MOSFET,设计用于频率在136至520 MHz之间的移动对讲无线电应用。这些器件具有高增益、耐用性和宽带性能,使其成为移动无线电设备中大信号共源放大器应用的理想选择。
特点
器件型号 | 数量 | 器件厂商 | 器件描述 | 数据手册 | ECAD模型 | 风险等级 | 参考价格 | 更多信息 |
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06035C104KAT4A | 1 | Kyocera AVX Components | Capacitor, Ceramic, Chip, General Purpose, 0.1uF, 50V, ±10%, X7R, 0603 (1608 mm), Sn/NiBar, -55º ~ +125ºC, 13" Reel |
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$0.03 | 查看 | |
BSS138K-13 | 1 | Diodes Incorporated | Small Signal Field-Effect Transistor, |
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$0.38 | 查看 | |
CRCW12060000Z0EAC | 1 | Vishay Intertechnologies | Fixed Resistor, Metal Glaze/thick Film, 0.25W, 0ohm, Surface Mount, 1206, CHIP |
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$0.04 | 查看 |
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