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扫码加入RF功率LDMOS晶体管、高耐用性N型增强模式侧向MOSFET，设计用于频率在136至520 MHz之间的移动对讲无线电应用。这些器件具有高增益、耐用性和宽带性能，使其成为移动无线电设备中大信号共源放大器应用的理想选择。
特点
| 器件型号 | 数量 | 器件厂商 | 器件描述 | 数据手册 | ECAD模型 | 风险等级 | 参考价格 | 更多信息 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| C0402C103K3RAC7411 | 1 | KEMET Corporation | Capacitor, Ceramic, Chip, General Purpose, 0.01uF, 25V, ±10%, X7R, 0402 (1005 mm), -55º ~ +125ºC, 13" Reel/Unmarked |
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$0.03 | 查看 | |
| BT152-800R,127 | 1 | WeEn Semiconductor Co Ltd | Silicon Controlled Rectifier, 20A I(T)RMS, 800V V(DRM), 800V V(RRM), 1 Element, TO-220AB, PLASTIC, SC-46, 3 PIN |
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$1.05 | 查看 | |
| VSSRC20AD101470UF | 1 | Vishay Intertechnologies | Resistor/Capacitor Network, RC NETWORK, T-FILTER, 1W, 100ohm, 0.000047uF, SURFACE MOUNT, SSOP-20, SSOP, ROHS COMPLIANT |
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暂无数据 | 查看 |
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