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MRFE6VP61K25N，MRFE6VP61K25GN 宽带射频功率LDMOS晶体管数据手册

2023/04/25 作者：恩智浦

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MRFE6VP61K25N，MRFE6VP61K25GN 宽带射频功率LDMOS晶体管数据手册

射频功率LDMOS 晶体管高韧性N沟道增强型横向MOSFET 这些高韧性器件设计用于高驻波比的工业、医疗、广播、航空航天和移动无线电应用。其无与伦比的输入和输出设计允许从1.8到600 MHz的广泛频率范围使用。

特点

无与伦比的输入和输出，可实现广泛频率范围的利用
设备可单端使用或采用推挽配置
最大50 VDD操作的合格化
在30到50 V范围内进行特性化，以扩展功率范围
适用于具有适当偏置的线性应用
集成ESD保护，具有更大的负栅源电压范围，以改善C类操作
使用系列等效大信号阻抗参数进行特性化
推荐驱动器：AFT05MS004N（4 W）或MRFE6VS25N（25 W）

推荐器件

更多器件

器件型号	数量	器件厂商	器件描述	数据手册	ECAD模型	风险等级	参考价格	更多信息
GRM31CR61E476ME44L	1	Murata Manufacturing Co Ltd	Ceramic Capacitor, Multilayer, Ceramic, 25V, 20% +Tol, 20% -Tol, X5R, 15% TC, 47uF, Surface Mount, 1206, CHIP		ECAD模型下载ECAD模型		$1.45	查看
PMLL4148L,115	1	Nexperia	PMLL4148L; PMLL4448 - High-speed switching diodes@en-us MELF 2-Pin		ECAD模型下载ECAD模型		$0.17	查看
2N7002	1	Bytesonic Corporation	Transistor				$0.11	查看

原创声明：本文为恩智浦原创内容，未经书面授权，不得以任何方式加以使用。转载合作

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恩智浦

恩智浦半导体创立于2006年，其前身为荷兰飞利浦公司于1953年成立的半导体事业部，总部位于荷兰埃因霍温。恩智浦2010年在美国纳斯达克上市。恩智浦2010年在美国纳斯达克上市。恩智浦半导体致力于打造全球化解决方案，实现智慧生活，安全连结。

恩智浦半导体创立于2006年，其前身为荷兰飞利浦公司于1953年成立的半导体事业部，总部位于荷兰埃因霍温。恩智浦2010年在美国纳斯达克上市。恩智浦2010年在美国纳斯达克上市。恩智浦半导体致力于打造全球化解决方案，实现智慧生活，安全连结。收起

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