射频功率LDMOS晶体管 高韧性N沟道增强型横向MOSFET 这些高韧性器件设计用于高驻波比的工业、医疗、广播、航空航天和移动无线电应用。其无与伦比的输入和输出设计允许从1.8到600 MHz的广泛频率范围使用。
特点
射频功率LDMOS晶体管 高韧性N沟道增强型横向MOSFET 这些高韧性器件设计用于高驻波比的工业、医疗、广播、航空航天和移动无线电应用。其无与伦比的输入和输出设计允许从1.8到600 MHz的广泛频率范围使用。
特点
器件型号 | 数量 | 器件厂商 | 器件描述 | 数据手册 | ECAD模型 | 风险等级 | 参考价格 | 更多信息 |
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IHLP2525CZER1R5M01 | 1 | Vishay Intertechnologies | General Fixed Inductor, 1 ELEMENT, 1.5 uH, COMPOSITE-CORE, GENERAL PURPOSE INDUCTOR, SMD, CHIP, 2525, GREEN |
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$1.54 | 查看 | |
SMDB3 | 1 | STMicroelectronics | DIAC |
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$0.52 | 查看 | |
0878311420 | 1 | Molex | Board Connector, 14 Contact(s), 2 Row(s), Male, Straight, Solder Terminal, ROHS AND REACH COMPLIANT |
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$2.12 | 查看 |
12/16 16:38
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12/16 15:20
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