射频功率LDMOS晶体管 高韧性N沟道增强型横向MOSFET 这些高韧性器件设计用于高驻波比的工业、医疗、广播、航空航天和移动无线电应用。其无与伦比的输入和输出设计允许从1.8到600 MHz的广泛频率范围使用。
特点
射频功率LDMOS晶体管 高韧性N沟道增强型横向MOSFET 这些高韧性器件设计用于高驻波比的工业、医疗、广播、航空航天和移动无线电应用。其无与伦比的输入和输出设计允许从1.8到600 MHz的广泛频率范围使用。
特点
器件型号 | 数量 | 器件厂商 | 器件描述 | 数据手册 | ECAD模型 | 风险等级 | 参考价格 | 更多信息 |
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254M06QD100 | 1 | Quantic Paktron | RC Network, Bussed, 0.5W, 100ohm, 600V, 0.25uF, Through Hole Mount, 2 Pins, RADIAL LEADED, ROHS COMPLIANT |
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$9.92 | 查看 | |
MCR100-8 | 1 | Jiangsu Changjiang Electronics Technology Co Ltd | Silicon Controlled Rectifier, 600V V(DRM) |
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$0.18 | 查看 | |
MBRA340T3G | 1 | onsemi | Schottky Power Rectifier, Surface Mount, 3.0 A, 40 V, SMA, 5000-REEL |
ECAD模型 下载ECAD模型 |
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$0.54 | 查看 |
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