RF功率LDMOS晶体管、高耐用性N型增强模式侧向MOSFET,这些高耐用性器件设计用于高VSWR的工业、医疗、广播、航空航天和移动无线电应用。其无与伦比的输入和输出设计使其能够在1.8至600 MHz的宽频率范围内使用。
特点
MRFE6VP6600N 1.8-600 MHz RF功率数据手册
RF功率LDMOS晶体管、高耐用性N型增强模式侧向MOSFET,这些高耐用性器件设计用于高VSWR的工业、医疗、广播、航空航天和移动无线电应用。其无与伦比的输入和输出设计使其能够在1.8至600 MHz的宽频率范围内使用。
特点
器件型号 | 数量 | 器件厂商 | 器件描述 | 数据手册 | ECAD模型 | 风险等级 | 参考价格 | 更多信息 |
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CRH-20470 | 1 | Okaya Electric America Inc | RC Network, Isolated, 6W, 47ohm, 0.22uF, Chassis Mount, 2 Pins, |
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$13.28 | 查看 | |
CRCW06034K99FKEA | 1 | Vishay Intertechnologies | Fixed Resistor, Metal Glaze/thick Film, 0.1W, 4990ohm, 75V, 1% +/-Tol, 100ppm/Cel, Surface Mount, 0603, CHIP, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT |
ECAD模型 下载ECAD模型 |
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$0.05 | 查看 | |
P0640SBLRP | 1 | Littelfuse Inc | Silicon Surge Protector, 77V V(BO) Max, 25A, DO-214AA, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-2 |
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$1.69 | 查看 |
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