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扫码加入RF功率LDMOS晶体管、高耐用性N型增强模式侧向MOSFET，这些高耐用性器件设计用于高VSWR的工业、医疗、广播、航空航天和移动无线电应用。其无与伦比的输入和输出设计使其能够在1.8至600 MHz的宽频率范围内使用。
特点
| 器件型号 | 数量 | 器件厂商 | 器件描述 | 数据手册 | ECAD模型 | 风险等级 | 参考价格 | 更多信息 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 504M02QA100 | 1 | Cornell Dubilier Electronics Inc | RC Network, Bussed, 0.5W, 100ohm, 200V, 0.5uF, Through Hole Mount, 2 Pins, RADIAL LEADED, ROHS COMPLIANT |
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$14.74 | 查看 | |
| MMBTA42LT1G | 1 | onsemi | 500 mA, 300 V High Voltage NPN Bipolar Junction Transistor, SOT-23 (TO-236) 3 LEAD, 3000-REEL |
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$0.05 | 查看 | |
| IHLP6767GZER680M11 | 1 | Vishay Intertechnologies | General Fixed Inductor, 1 ELEMENT, 68 uH, COMPOSITE-CORE, GENERAL PURPOSE INDUCTOR, SMD, CHIP, 6767, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT |
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$5.1 | 查看 |
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