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MRFE6VP6600N 1.8-600 MHz RF功率数据手册

2023/04/25
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MRFE6VP6600N 1.8-600 MHz RF功率数据手册

RF功率LDMOS晶体管、高耐用性N型增强模式侧向MOSFET,这些高耐用性器件设计用于高VSWR的工业、医疗、广播、航空航天和移动无线电应用。其无与伦比的输入和输出设计使其能够在1.8至600 MHz的宽频率范围内使用。

特点

  • 无与伦比的输入和输出,可实现广泛的频率范围利用
  • 设备可单端使用或采用推挽配置
  • 最大50 VDD运行限制
  • 在30至50 V范围内进行扩展功率测试
  • 适用于带有适当偏置的线性应用
  • 集成ESD保护,具有更大的负栅源电压范围,以改善C类操作
  • 通过串联等效大信号阻抗参数进行特性描述
  • 推荐驱动器:AFT05MS004N(4 W)或MRFE6VS25N(25 W)

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器件型号 数量 器件厂商 器件描述 数据手册 ECAD模型 风险等级 参考价格 更多信息
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ECAD模型

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P0640SBLRP 1 Littelfuse Inc Silicon Surge Protector, 77V V(BO) Max, 25A, DO-214AA, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-2
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恩智浦

恩智浦

恩智浦半导体创立于2006年,其前身为荷兰飞利浦公司于1953年成立的半导体事业部,总部位于荷兰埃因霍温。恩智浦2010年在美国纳斯达克上市。恩智浦2010年在美国纳斯达克上市。恩智浦半导体致力于打造全球化解决方案,实现智慧生活,安全连结。

恩智浦半导体创立于2006年,其前身为荷兰飞利浦公司于1953年成立的半导体事业部,总部位于荷兰埃因霍温。恩智浦2010年在美国纳斯达克上市。恩智浦2010年在美国纳斯达克上市。恩智浦半导体致力于打造全球化解决方案,实现智慧生活,安全连结。收起

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