封装摘要
终端位置代码 Q(四角)
封装类型描述代码 HVQFN36
封装类型行业代码 HVQFN36
封装样式描述代码 HVQFN(热增强型非常薄四角扁平封装;无引线)
封装主体材料类型 P(塑料)
安装方法类型 S(表面贴装)
发布日期 2018年3月8日
制造商封装代码 98ASA01212D
封装摘要
终端位置代码 Q(四角)
封装类型描述代码 HVQFN36
封装类型行业代码 HVQFN36
封装样式描述代码 HVQFN(热增强型非常薄四角扁平封装;无引线)
封装主体材料类型 P(塑料)
安装方法类型 S(表面贴装)
发布日期 2018年3月8日
制造商封装代码 98ASA01212D
器件型号 | 数量 | 器件厂商 | 器件描述 | 数据手册 | ECAD模型 | 风险等级 | 参考价格 | 更多信息 |
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MMBT2222AWT1G | 1 | onsemi | NPN Bipolar Transistor, SC-70 (SOT-323) 3 LEAD, 3000-REEL |
ECAD模型 下载ECAD模型 |
|
$0.17 | 查看 | |
BSS138W-7-F | 1 | MULTICOMP PRO | Small Signal Field-Effect Transistor, |
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$0.22 | 查看 | |
IPW65R080CFDAFKSA1 | 1 | Infineon Technologies AG | Power Field-Effect Transistor, 43.3A I(D), 650V, 0.08ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247, GREEN, PLASTIC PACKAGE-3 |
ECAD模型 下载ECAD模型 |
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$14.51 | 查看 |
12/16 16:38
12/16 15:51
12/16 15:20
12/16 14:13
10/26 09:45
10/26 09:41
10/26 09:38
10/25 09:39
10/24 13:38
10/24 13:37
10/24 13:36
10/24 13:33
10/24 13:04
10/24 13:01
10/24 13:00
10/24 13:00
10/24 13:00
10/24 12:58
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10/24 12:53