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端子位置代码 Q （四方）
封装类型描述代码 HVQFN124
封装样式描述代码 HVQFN（热增强型非引线非常薄四平面封装；无引线）
封装体材料类型 P （塑料）
安装方法类型 S （表面贴装）
发布日期 2021年08月03日
制造商包装代码 98ASA01826D
| 器件型号 | 数量 | 器件厂商 | 器件描述 | 数据手册 | ECAD模型 | 风险等级 | 参考价格 | 更多信息 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| IPW65R080CFDAFKSA1 | 1 | Infineon Technologies AG | Power Field-Effect Transistor, 43.3A I(D), 650V, 0.08ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247, GREEN, PLASTIC PACKAGE-3 |
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$14.51 | 查看 | |
| PT510 | 1 | Sharp Corp | Photo Transistor, 800nm, |
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暂无数据 | 查看 | |
| 1N4148W | 1 | Promax-Johnton Electronic Corporation | Rectifier Diode, 1 Element, 0.15A, Silicon, PLASTIC, SOD-123, 2 PIN |
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$0.05 | 查看 |
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