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英飞凌新的600V CoolMOS™ C7 产品系列将硬开关拓扑(PFC/TTF)的效率提高到一个新的级别，与650V CoolMOS™ C7不同，600V CoolMOS™ C7 也可以应用在高性能谐振拓扑(LLC)中。该600 V系列相比CoolMOS™ CP可减少50%的开关损耗，在PFC、TTF和其他硬切换拓扑结构中可实现和GaN类似的性能水平。
CoolMOS C7在业内率先实现1 Ω/mm
2的面比电阻（RDS(ON)*A），它进一步扩展了英飞凌的最低每封装RDS(ON)产品组合，可支持进一步提高功率密度。全新CoolMOS系列具备超低开关损耗，适合大功率开关电源（SMPS）应用——比如服务器、电信、太阳能以及需要提高效率、降低组件成本（BoM）和总拥有成本（TCO）的工业应用。
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