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扫码加入东沃电子10G（万兆）太网口ESD静电浪涌保护方案，如下图：
从10G（万兆）以太网口ESD静电浪涌保护方案图中可以看出，电路保护器件选用的是东沃自主研发、生产、销售的半导体放电管DWOS4-100/400AD、ESD静电保护二极管DW05DTF-B（DFN1006-2L封装）。东沃电子技术团队设计的10G（万兆）以太网口ESD静电浪涌保护方案满足IEC61000-4-510/700μs 40Ω DM:0.5KV CM:6KV。
想了解更多有关10G（万兆）以太网口ESD静电浪涌保护方案、ESD静电保护二极管型号、参数、特性、规格书及应用，欢迎与东沃电子沟通交流：136 7581 6901（微信同号）朱工！方案设计、EMC测试、样品供应、器件定制，东沃电子一站式为您服务！
| 器件型号 | 数量 | 器件厂商 | 器件描述 | 数据手册 | ECAD模型 | 风险等级 | 参考价格 | 更多信息 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| P410QS333M300AH101 | 1 | KEMET Corporation | RC Network, |
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$1.83 | 查看 | |
| CRCW040222R0FKEDC | 1 | Vishay Intertechnologies | Fixed Resistor, Metal Glaze/thick Film, 0.063W, 22ohm, 50V, 1% +/-Tol, 100ppm/Cel, Surface Mount, 0402, CHIP |
|
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暂无数据 | 查看 | |
| L-14C68NJV4T | 1 | Johanson Technology Inc | General Purpose Inductor |
|
|
$0.1 | 查看 |
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