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10G(万兆)以太网口ESD静电浪涌保护方案

07/26 10:11
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东沃电子10G(万兆)太网口ESD静电浪涌保护方案,如下图:

10G(万兆)以太网口ESD静电浪涌保护方案.png

从10G(万兆)以太网口ESD静电浪涌保护方案图中可以看出,电路保护器件选用的是东沃自主研发、生产、销售的半导体放电管DWOS4-100/400AD、ESD静电保护二极管DW05DTF-B(DFN1006-2L封装)。东沃电子技术团队设计的10G(万兆)以太网口ESD静电浪涌保护方案满足IEC61000-4-510/700μs 40Ω DM:0.5KV CM:6KV。

想了解更多有关10G(万兆)以太网口ESD静电浪涌保护方案、ESD静电保护二极管型号、参数、特性、规格书及应用,欢迎与东沃电子沟通交流:136 7581 6901(微信同号)朱工!方案设计、EMC测试、样品供应、器件定制,东沃电子一站式为您服务!

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