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I/O接口ESD静电浪涌防护方案

08/08 09:02
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东沃电子设计的I/O接口ESD静电浪涌防护方案,如下图:
I、O接口ESD静电浪涌防护方案.png

从I/O接口ESD静电浪涌防护方案图中可以看出,选用了东沃自主研发、生产、销售的TVS二极管阵列DW05D5-B(SOD-523封装)、DW05DPF-B(0402封装),浪涌能力:IEC61000-4-5 1.2/50μs-8/20μs  42Ω  500V;ESD:IEC61000-4-2 4级,接触放电:8KV,空气放电:15KV。针对I/O接口ESD静电浪涌防护,有很多设计保护方案。具体选用哪种,还需要结合电路的保护需求来决定。

想了解更多有关I/O接口ESD静电浪涌防护方案、TVS二极管阵列型号、参数、特性、规格书及应用,欢迎与东沃电子技术沟通交流:136 7581 6901(微信同号)朱工!方案设计、EMC测试、样品供应、器件定制,东沃一站式为您服务!

  • IO接口ESD静电浪涌防护方案.docx

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