以太网端口浪涌保护方案

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东沃电子技术设计的以太网端口浪涌保护方案图，如下：

以太网端口浪涌保护.png

从以太网端口浪涌保护方案图中可以看出，电路保护器件选用的是东沃自主研发、生产的TVS二极管阵列DW03DLC-B和半导体放电管DWOS4-100/400AD。该以太网端口保护方案浪涌能力：DM 2KV CM 6KV Per ITU K.21 10/700μs 40Ω。当然，还有其他的可行性以太网端口浪涌保护方案，可根据客户的需求量身设计并个性化定制电路保护器件！

更多有关以太网端口浪涌保护方案、电路保护器件参数、特性、规格书及应用，欢迎与东沃电子技术沟通交流：136 7581 6901（微信同号）朱工！

以太网端口浪涌保护方案.docx

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