扫码关注
电子硬件助手
元器件查询
109
服务支持：
完成交易后在“购买成功”页面扫码入群，即可与技术大咖们分享疑惑和经验、收获成长和认同、领取优惠和红包等。
当前内容为数字版权作品，购买后不支持退换且无法转移使用。
扫码加入
描述
此参考设计基于 LMG1210 半桥 GaN 驱动器和 GaN 功率的高电子迁移率晶体管 (HEMT)，实现了一款数兆赫兹功率级设计。凭借高效的开关和灵活的死区时间调节，此参考设计不仅可以显著改善功率密度，同时还能实现良好的效率和较宽的控制带宽。此功率级设计可广泛应用于众多需要快速响应的空间受限型应用，例如 5G 电信电源、服务器和工业电源。
特性
基于 GaN 的紧凑型功率级设计，具有高达 50MHz 的开关频率
适用于高侧和低侧的彼此独立的 PWM 输入，或具有可调节死区时间的单一 PWM 输入
最小脉冲宽度为 3ns
300V/ns 的高压摆率抗扰性
驱动器 UVLO 和过热保护
人工客服
© 2010 - 2024 苏州灵动帧格网络科技有限公司 版权所有
ICP经营许可证 苏B2-20140176 | 苏ICP备14012660号-6 | 苏公网安备 32059002001874号
扫码关注
扫码加入
电子硬件助手
元器件查询
