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| 区别 | EEPROM | Flash 存储器 |
| 擦除方式 | 一种可擦除且可编程的存储器，擦除时以字节为单位进行操作，可以通过电子方式擦除 | 以扇区或块为单位进行擦除，擦写速度较快，但擦除范围较大 |
| 擦写速度 | EEPROM相对于Flash而言擦写速度较慢，因为它允许单独擦除每个字节，这导致擦写时间较长 | Flash存储器擦写速度通常较快，但由于需要按块擦除，可能会引入额外的延迟 |
| 寿命 | 由于EEPROM只需擦写特定位置的数据，它通常拥有比Flash更长的擦写寿命 | 通常具有较高的密度和读取速度，但擦写次数有限，可能会影响其使用寿命 |
| 适用性 | 常用于存储少量数据或需要频繁更新的场景，例如存储配置信息或小规模程序 | 广泛应用于固件存储、操作系统、固态硬盘等领域，适合大容量数据存储和需要高速读取的场景 |
EEPROM和Flash存储器在擦除方式、擦写速度、寿命和适用性方面存在一些区别。选择使用EEPROM还是Flash存储器取决于具体的应用需求，包括数据容量、擦写频率、读取速度和寿命等因素。
