PMOS NBTI效应,从失效原理到主流工艺改善!
近年来,随着半导体工业的不断发展,集成电路设计及制造工艺取得了非常巨大的进步,越来越多的先进技术运用到集成电路制造工艺中,促进了集成电路尺寸的微缩。随着器件尺寸的不断缩小,尤其是进入先进技术节点之后,器件可靠性问题日趋严重,对器件的进一步微缩构成的很大挑战。其中PMOS负偏压温度不稳定性(Negative bias temperature instability, NBTI)尤为突出,严重限制了PMOS器件寿命,已成为器件微缩时比较棘手的问题之一。