事件回顾:美国时间10月7日,美国商务部工业安全局(BIS)宣布对美国芯片实施新的出口管制限制措施。包括对已被列入实体名单的28家在人工智能、超级计算机、高性能芯片领域领先的中国企业实施定点打击,同时进一步加强出口管制,将31家中国公司(包含长江存储、北方华创等)、研究机构和其他团体列入所谓“未经核实清单(Unverified List:UVL)”等。
- 今年三季度以来,美国加速对华芯片产业管制政策的出台。
- 10月的出口管制,剑指高性能芯片与超级计算机,并将管控范围从逻辑芯片扩展到存储芯片。在芯片生产源头上也给予沉重一击,进一步加重限制对华出口“半导体制造项目”相关设备。这一系列组合拳,将对国内半导体产业带来巨大冲击,同时也将加速提振高性能芯片、存储芯片、半导体设备等早日实现自主可控的决心与国产化的信心。
对华围堵,最新举措解析:
- 10/7: 限制对华出口“半导体制造项目”相关设备,包含14/16nm 及以下。NAND 128L 及以上; DAMR 18nm half-pitch 及以下。
- 10/12: 规定美国公司/人士不能“协助”出口上述管制产品, 而达到“协助”效应的非管制产品亦有可能须额外申请许可。
- 10/21: 限制并定义高级计算(HPC)和超级计算机(Supercomputer; 200及以上(32-bit) PFLOPS)相关芯片出口管制。
- 缓冲期: 2022/10/21-2023/04/07:发放临时许可证, 可以对在华的 “非中国客户”出口或转售不涉以上规格限制的设备及芯片,终端用户若为中国公司则不适用此临时许可证。
具体影响:
对设备的影响:
- 新增31家公司列为UVL清单,设备商须事先申报“最终使用者”和 “最终使用用途”才能与UVL贸易,其中不能涉及实体列表或军事用途。
- 管制16nm/14nm及以下的FinFET GAA,18nm half-pitch DRAM,128层以上NAND flash相关设备的出口,除特殊个案外,任何在国内使用皆无法获得许可。
- 列举了一些需要被限制的设备具体规格(针对材质,线距,温度等)
- 存储设备占国内设备资本支出35-40%,对国内设备厂商影响仍需待具体评估。
对晶圆代工厂的影响:
- 美商务部针对美系设备出口16nm(含)以下的设备至未被列入实体列表的国内晶圆厂,甚至国外厂商位于中国境内的生产皆须经过逐案申请许可。
- 对中芯国际而言,虽然当前扩产仍以28nm及以上节点为主,但长期影响到国内HPC公司的研发,势必会影响中芯国际与国内HPC客户共同成长的机会,先进制程扩产也可能会受到影响(但影响有限)。
对GPU的影响:
- 8月底初步将Nvidia A100/H100、AMD MI250列入限制范围。
- 除此之外,国内IC设计用于上述提及的HPC芯片需要取得许可证件。
对存储厂的影响:
- 内存DRAM将限制在18nm(含)以下设备需要取得许可。
- 长鑫存储近期迈进17nm,早前已拉入相当充足的设备,整体今年底产能将达到65k每月, 原定明年底80k每月,但后续设备取得将存疑虑。
- 长江存储当前产能规划为今明年底105k~150k,并于明年中转进232L,后续扩产升级将受影响。
- 海力士无锡厂DRAM产能达200k,其NAND Flash后续扩产亦需要许可证。
- 三星 (西安)、Solidigm (大连)的扩产升级计划也或将受到影响。
但值得注意的是:
- 据路透社报道,美国政府或将对韩国在华内存芯片制造商三星和SK海力士“网开一面”,因为向在中国生产先进存储芯片的外国企业提供生产设备有可能通过美国商务部的审查。韩联社称,韩国政府计划就"批准程序"问题与美国政府进行协商,以确保在华韩企工厂的正常运转。
- 或许海外内存厂在国内扩产计划将存在生机。
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