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射频微电子书中，主要讲了两种振荡器结构，分别为交叉耦合振荡器和三点式振荡器。
交叉耦合振荡器
交叉耦合振荡器，是RF芯片设计的主流选择。
一个放大器，配上LC调谐，就可以形成一个振荡器。
如下图所示。
其中C1代表在输出端看到的电容，Rp代表LC谐振器的等效并联电阻。
可以通过以下三个步骤，对以上电路进行直观分析。
step1: 低频时，电感占主导地位，因此
从上述等式可知，|Vout/Vin|很小，且ang(Vout/Vin)接近-90度。
step2:谐振时，Rp占主导作用，因此
此时ang(Vout/Vin)=-180度。
step3:高频时，电容占主导作用，因此
此时ang(Vout/Vin)接近90度，即-270度。
综合上面的步骤，可粗略地画出上图对应的频率响应。
那如果把上面电路的输出和输入连接，会振荡么？
答案是不会。从上面传输函数的相位图可知，电路的相移在谐振处的相移为-180度，最大的相移也是在-270度，而没有达到360度(因为上述电路将vout连接到vin,是正反馈)。
那怎么才能产生振荡呢?
上面的电路，在相移为-180度时，增益为,足够大。如果再级联一个一模一样的电路，那么相位在谐振的时候，就能达到180+180=360度，同时环路具有足够的增益，此时就满足振荡条件了。
对上述电路重新画一下，就变成下图所示。
但是上面形式的交叉耦合振荡器，偏置电流会受电子迁移率，温度，Vth以及供电电压VDD的影响。
考虑到VX和VY为差分信号，如果M1和M2与尾电流源相连，他们可以作为差分对运行。此时，M1和M2的偏置电流就为ISS/2，主要取决于尾电流源，稳定多了。
但是由于CDB(漏极与衬底之间的电容)的存在，即使尾电流源完全理想，振荡器的频率也会随着VDD的变化而变化。
因为VDD变化，会导致CDB的容值发生变化，从而是振荡频率发生变化。
三点式振荡器
对上图(a)进行分析，可知：
即(a)电路可以等效为C1，C2和一负阻的级联。
图(a)中提供了负阻和电容，将其连接一有耗电感，即可形成振荡器。
上述电路中，并没有指明哪一个节点与GND连接。
将MOS管的三个端口分别与GND连接，得到三个不同的拓扑结构。
三点式振荡器的起振，对电感的Q值有较高的要求，也就是说如果电感的Q值不够高的话，振荡器可能不起振。
另外，上述的三点式振荡器输出的是单端信号。
可以将两个相同的三点式振荡器连接在一起，如下图所示，也可产生差分输出。
三点式振荡器通过两个相同的电路连接，可以产生差分振荡信号，不过它的起振条件相比于交叉耦合振荡器来说，相对严格。
另外尾电流I1和I2的噪声也会对振荡信号产生影响。
