725
Qorvo®（纳斯达克代码：QRVO）今天宣布推出采用表面贴装 D2PAK-7L 封装的七款 750V 碳化硅 (SiC) FET，借助此封装选项，Qorvo 的 SiC FET可为车载充电器、软开关 DC/DC 转换器、电池充电（快速 DC 和工业）以及IT/服务器电源等快速增长的应用量身定制，能够为在热增强型封装中实现更高效率、低传导损耗和卓越成本效益的高功率应用提供更佳解决方案。
Qorvo 的第四代 UJ4C/SC 系列在 650/750V 时具有9mΩ的业界更低 RDS(on)，其额定值分别为 9、11、18、23、33、44 和 60mΩ。这种广泛的选择可为工程师提供更多的器件选项，从而具有更高的灵活性，以实现更佳的成本/效率平衡，同时保持充足的设计冗余和电路稳健性。利用独特的级联式（cascode） SiC FET 技术，其中常开型 SiC JFET 与 Si MOSFET 共同封装以生成常关型 SiC FET，这些器件可提供同类更佳的 RDS x A 品质因数，能够以较小芯片实现较低传导损耗。
Qorvo 旗下UnitedSiC首席工程师 Anup Bhalla 表示：“D2PAK-7L 封装可降低紧凑型内部连接环路的电感，与包含的 Kelvin 源极连接一起，可降低开关损耗，从而实现更高的工作频率和更高的系统功率密度。这些器件还采用银烧结（silver-sinter）芯片贴装技术，热阻非常低，可通过标准 PCB 和带液体冷却的IMS 基板最大限度地散热。”
采用 D2PAK-7L 封装的新型 750V 第 4 代 SiC FET 单价（1000 片以上，美国离岸价）从 UJ4C075060B7S 的 3.50 美元到 UJ4SC075009B7S 的 18.92 美元不等。所有器件均可从授权分销商处获得。
Qorvo 旗下UnitedSiC UJ4C/SC 第 4 代 SiC FET 系列能够提供行业更佳性能品质因数，从而在更高速度下降低传导损耗并提高效率，同时提高整体成本效益。
