美光日本厂跳电，预估受影响产能规模有限

美光（Micron）位于Hiroshima的日本厂于7月8日发生跳电意外。据TrendForce集邦咨询调查，以第三季产能来看，该厂月产能占美光月产能约30%；若以全球产能来看，投片占比则约7%。主要投产制程为1Z nm，其投片比重为50%以上，其次为1Y nm，占比亦有接近35%。由于跳电发生时机台亦同时启动不断电系统，但因压降的影响，机台需要重启与检查，而跳电时间约5~10分钟，故受影响的产能有限。

该厂主要是R&D的研发中心，下一代制程1beta nm亦将优先于该厂内投产。而观察其产品类别，现阶段以产出智能手机相关的mobile DRAM为主。TrendForce集邦咨询同时表示，自年初起地缘冲突、高通胀导致全球消费性电子需求疲弱，使得各原厂的存储器库存皆位于较高水位，且跳电对美光产能影响较低，美光亦能使用其库存来满足客户端的需求，故对整体DRAM供需市场并无造成冲击。

TrendForce集邦咨询同步观察到，向来对市况会有实时反应的现货市场，在跳电发生至今，并未有需求增加，或是发生客户急单的市场反应，价格端完全没有发出止跌讯号，故预估此次跳电并不会扭转存储器供过于求的现况。TrendForce集邦咨询将维持原来对下半年的价格预估，意即第三季DRAM价格将季跌约10%。