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MAP1202主控芯片是全球唯一一款在PCIe Gen3技术节点上采用全球最领先的22nm工艺技术设计（友商均采用28nm工艺技术），做到性能功耗比行业极致而成为行业标杆。搭载MAP1202主控芯片的SSD解决方案的规模商用，以其三高一低“高性能、高稳定、高安全、低功耗”的卓越品质，为PCIe3.0定格正身。
为了更好的探寻MAP1202解决方案市场竞争力，我们以近期发布的搭载MAP1202的长江存储致态TiPlus5000产品为例，邀请第三方媒体评测机构将MAP1202+YMTC第三代3D NAND的PCIe Gen3解决方案与一款PCIe Gen4的SSD解决方案进行对比，看看在PCIe Gen3接口的CPU平台上的表现，是否可以称得上PCIe Gen3扛鼎之作。
1.方案选择
方案一：MAP1202（PCIe Gen3）主控芯片（22nm）+ 长江存储Xtacking架构第三代3D NAND闪存颗粒SSD解决方案（1TB）
方案二：业内某款PCIe Gen4主控芯片（28nm） + 某款112层3D NAND SSD解决方案(1TB)
2.测试平台配置
3.对比一：Crystal Disk Mark工具实测
MAP1202+YMTC 第三代3D NAND 业内某款Gen4主控芯片+某款112层3D NAND。
采用 Crystal Disk Mark工具对两款SSD在相同的测试环境下进行测试(PCIe Gen3 CPU平台)， MAP1202搭配长江存储第三代3D NAND无论是最高的顺序读写与随机读写均高于对比测试的某款PCIe Gen4的解决方案。
4.对比二：AS SSD Benchmark工具实测
MAP1202+YMTC 第三代3D NAND 业内某款Gen4主控芯片+112层3D NAND
为了反映产品在性能方面的多维度，采用业界另外一种流行的SSD性能评测工具AS SSD Benchmark对两款SSD在相同的测试环境下进行测试(PCIe Gen3 CPU平台)，MAP1202搭配长江存储第三代3D NAND综合性能指标与业内某款PCIe Gen4的解决方案水平几乎一致，其中在写入的响应时间上更短。
5.对比三：ATTO工具实测
MAP1202+YMTC 第三代3D NAND 业内某款Gen4主控芯片+112层3D NAND
从ATTO Disk Benchmarks工具实测结果来看，0.5K~64MB 区间MAP1202解决方案整个写入性能维持在3.0GB/s的水平，而对比的业内某款PCIe Gen4 SSD解决方案写入性能维持在2.0GB/s。同样可以看到MAP1202搭配长江存储第三代3D NAND综合性能指标优于对比测试的某款业内PCIe Gen4 SSD的解决方案。
6.对比四：PCMark10存储实测
MAP1202+YMTC 第三代3D NAND 业内某款Gen4主控芯片+112层3D NAND
PCMark10 存储测试是一个持续时间接近1小时的读写测试，会用更重的负载，更大的读写量来测试硬盘的性能。MAP1202搭配长江存储第三代3D NAND SSD解决方案从跑分、带宽以及平均存取时间都略高于业内某款PCIe Gen4 SSD解决方案。
7.对比四：功耗对比实测
在测试到硬盘最高性能的同时记录硬盘的功耗表现，从上表中可以看到MAP1202搭配长江存储第三代3D NAND SSD解决方案在最高顺序写入性能远高出某款业内PCIe Gen4 SSD解决方案情况下，两者功耗表现几乎一致。
接着针对低功耗进行测试结果也令人惊讶，MAP1202搭配长江存储第三代3D NAND SSD解决方案相比某款业内PCIe Gen4 SSD解决方案更加省电,功耗更低。
基于目前评测情况，对该款对比测试的业内某款PCIe Gen4 SSD解决方案在PCIe Gen4 CPU平台上进行实测，表现如下，性能也非常低。
总结：
联芸科技推出的MAP1202搭配长江存储第三代3D NAND的PCIe Gen3 SSD该解决方案与某款采用业内主控芯片厂商推出的入门级PCIe Gen4 SSD解决方案，在相同的测试环境下（CPU平台选择PCIe Gen3接口）中对比实测来看，MAP1202搭配长江存储第三代NAND的解决方案得益于Xtacking架构优秀的闪存性能和22纳米控制器能力，实测性能指标及功耗表现更为优异。而该款入门级PCIe Gen4的SSD解决方案，在PCIe Gen4测试环境下（CPU平台选择PCIe Gen4接口），性能同样表现一般。
从多方面测试对比来看，可得到如下几个结论：
1、PCIe Gen4降维替代PCIe Gen3 在性能、功耗、成本没有明显优势；
2、28nm工艺技术不能应用于PCIe Gen4 SSD主控芯片设计和量产，存在高功耗、低性能缺点；
3、成熟的4通道PCIe Gen4 SSD主控芯片必须采用12nm高工艺技术制程，NAND IO速度要达到2400MT/s才能真正获得PCIe Gen4 SSD极速性能。
