长鑫存储将于Q2交付17nm DRAM样品

集微网消息，据《电子时报》报道援引上述人士称，长鑫存储的17nm制程成品率初步达到40%，预计将在2022年晚些时候逐步提高。据其计划，将在2022年下半年将月产量提高到6万至8万片12英寸晶圆。

长鑫存储将17nm工艺节点作为下一代主流制造技术。该人士认为，当其17nm制程成品率提高到成熟水平时，将能够提高DDR3和DDR4产能，并将在专业DRAM领域与包括南亚科技和华邦电子在内的中国台湾同行展开直接竞争。

南亚科技和华邦电子均计划建立各自的12英寸晶圆厂，用于生产专业DRAM芯片，新晶圆厂计划于2024年投产。在规模较大的国际同行纷纷退出低密度DRAM市场之际，两家公司都做出了兴建新晶圆厂的决定。

华邦电子于2018年在中国台湾南部的高雄破土动工兴建新的12英寸晶圆厂。该工厂的第一阶段将在2022年底准备好批量生产使用其第二代25nm工艺技术制造的芯片，即25S。

这家芯片制造商还开始推进工厂第二阶段的设施建设。据其预计，到2022年第四季度，高雄新晶圆厂的月产量将增至1万片12英寸晶圆，一年后将再投入生产1万片，进一步扩大晶圆厂的产量。

南亚科技此前则透露，计划建立一个新的12英寸晶圆厂，用于该公司内部开发的10nm级和基于EUV的工艺制造。该芯片制造商预计2024年在新工厂的一期工厂开始批量生产，初步产能预计为每月1.5万个晶圆。

消息人士指出，由于长鑫存储也在准备提高产量，市场是否会出现供过于求仍有待观察。

(校对/隐德莱希)