286
帕特·基辛格就任英特尔第八任CEO后，于2021年3月23日公布了《Intel Unleashed：Engineering the Future》，主要内容包括了7纳米计划、IDM2.0战略、Foundry规划、与IBM开展合作等。目前上述战略规划进展如何呢？
多国投资建厂规划接连落地
3月15日，英特尔详述了斥资逾330亿欧元（约合人民币2312.54亿元）提振欧洲芯片制造业的计划，此前英特尔宣布在未来10年向该领域注入800亿欧元的计划，此次是第一阶段。
图片来源：英特尔公告截图
作为投资的一部分，英特尔将投资170亿欧元在德国马格德堡开发两个芯片工厂。该项计划预计将于2023年上半年开工建设，2027年底投产，等待欧盟委员会的批准。据悉，新的工厂预计将使用英特尔最先进的埃斯特晶体管技术交付芯片。
此外，英特尔计划向爱尔兰的现有工厂投资120亿欧元，将制造空间增加一倍并改善工艺；在意大利投资45亿欧元建立后端制造设施，目前正在谈判中；在法国建立一个新的研发和设计中心，并在波兰和西班牙进一步投资。
英特尔表示，马格德堡工厂以及在法国、爱尔兰、意大利、波兰和西班牙的投资，可能在十年内可获得近900亿美元的收益资金，并表示将会用来建造更多的工厂。
值得一提的是，意大利等国为吸引英特尔的投资，纷纷推出巨大的激励政策。
今年3月消息，意大利最近出炉的一份法令草案显示，该国计划在2030年前拨出逾40亿欧元的资金用于推动本土芯片制造业发展，以吸引全球领先的半导体企业的投资。其中，意大利最主要的目标是英特尔公司。
据悉，意大利希望能说服英特尔在罗马建造一座芯片工厂，罗马负责提供公共资金与其他优惠条件，该项目投资约80亿欧元，计划十年建成。
此前，英特尔表示将投资200亿美元在美国亚利桑那州建设两处工厂，一处用于生产CPU，一处用作Foundry。在2021年9月，官方表示两座新工厂已经正式开建，新工厂将被命名为Fab 52和Fab 62，预计在2024年全面投入使用。
“IDM2.0”战略下专注技术研发
除了在各国大量扩产建厂外，英特尔近日通过收购高塔半导体、与IBM开展合作、提前订购ASML先进光刻机等举措，进一步推动其技术研发。
2月15日，英特尔和模拟半导体代工厂高塔半导体（Tower Semiconductor）宣布达成收购协议，根据协议，英特尔将以每股53美元的现金收购高塔半导体，总企业价值约为54亿美元。该交易已获得英特尔和高塔半导体董事会一致批准，将在约12个月内完成。交易完成前，英特尔代工服务事业部与高塔半导体将独立运营。
据TrendForce集邦咨询表示，2021年第四季Tower营收在全球晶圆代工市场位居第九名，分别在以色列、美国及日本设立共计7座厂房，整体12英寸约当产能占全球约3%。其中，以8英寸产能较多，占全球8英寸产能约6.2%。
制程平台方面，Tower可提供0.8um~65nm少量多样化的特殊制程工艺，主要生产RF-SOI、PMIC、CMOS Sensor、discrete等产品，将助Intel在智能手机、工业以及车用等领域扩大发展。
集邦咨询认为，在英特尔代工事业正式与高塔整合后，英特尔将正式进入前十大晶圆代工排名。
另外，为了加速半导体开发和制造领域的创新，2021年3月23日，IBM和英特尔宣布了一项重要合作，两家公司将携手推进下一代逻辑和封装技术。
2021年5月，IBM宣布已成功研制出全球首款采用2纳米规格纳米片技术的芯片。公开资料显示，与当前主流的7纳米芯片相比，IBM 2纳米芯片的性能预计提升45%，能耗降低75%。与当前领先的5纳米芯片相比，2纳米芯片的体积也更小，速度也更快。目前对于英特尔是否会率先使用这项技术还未知。
此外，英特尔此前提出的7纳米计划称，在2021年第二季度开始研发7纳米，将在2023年实现量产。业界猜测，英特尔或将与IBM合作推动该计划的实现。
除了布局先进技术，英特尔也在设备上做了提前布局。近日，ASML爆出其新一代高数值孔径光刻机将于2025年首批供应给英特尔。据ASML发言人称，更高的光刻分辨率将允许芯片缩小1.7倍，同时密度增加2.9倍。未来比3nm更先进的工艺，将极度依赖高NA EUV光刻机。
结语
总体而言，自英特尔公布其战略规划以来，许多措施接连落地，其在IDM和Foundry上的各项举措不仅有助于自身改善产业布局，也对全球缺芯现状起到一定的改善作用。在全球市场的强劲需求以及各国丰厚的芯片补贴政策下，英特尔的战略布局将更进一步。
