设计和生产创新性半导体材料的全球领军企业法国 Soitec 半导体公司宣布,将在其位于法国贝宁的总部增设新产线,用于生产创新型碳化硅衬底,助力电动汽车和工业市场应对关键挑战。新产线落成后还将同时用于 Soitec 300-mm SOI 晶圆的生产。
新产线将使用 Soitec 专利的 SmartCut™ 技术来生产创新型 SmartSiC™ 优化衬底,该种衬底由 Soitec 位于格勒诺布尔的 CEA-Leti 的衬底创新中心研发,将在工业及电动汽车应用中扮演关键作用。基于该种衬底的芯片可为电源系统带来显著的能效增益,帮助电动汽车提升续航里程、缩短充电时间并降低成本。目前,Soitec 已经与主要的碳化硅器件制造商展开基于 SmartSiC™ 合作,预测将于 2023 下半年开始实现该产品的盈利。
Soitec 首席执行官 Paul Boudre 表示:“我们预计,到 2030 年,电动汽车将占到新车总量的 40%。 SmartSiC™ 解决方案具备差异化、高性能、可持续和高成本效益的优势,有助于优化能效,并助推电动汽车的广泛普及。此次扩产对我们而言是一个里程碑,因为 SmartSiC™ 将成为 Soitec 的另一大增长引擎,并驱动汽车和工业市场的转型。”