3nm晶圆大厂上演卡位战

半导体制造今年将正式3nm时代，包括台积电、三星、英特尔都积极卡位，其中，台积电全数提供晶圆代工业务使用，三星、英特尔属于整合元件厂（IDM），其制程产能多优先用于自家产品。

目前在3nm先进制程量产上，台积电、三星是主要竞争者，两家公司都给自己设立了今年量产3nm的目标。其中，三星规划2022年上半年先量产第一代3nm；台积电维持目标在2022年下半年量产3nm，不过，二者制程技术存在差异。

三星期望借由采用环绕闸极技术（Gate-All-Around，GAA）来精进制程，提高量产良率。台积电3nm则按照客户需求仍采用鳍式场效晶体管（FinFET）技术，且2021年已获得多个客户产品投片，终端应用包含行动通信与高效能运算。

台积电多次强调，台积3nm（N3）制程技术推出时将会是业界最先进的制程技术，具备最佳的PPA及晶体管技术。相较于5nm制程技术，3nm制程技术的逻辑密度将增加约70%，在相同功耗下速度提升10%至15%，或者在相同速度下功耗降低25%至30%。研究机构TrendForce数据显示，台积电将持续拉高与三星的差距，去年第3季晶圆代工市占率高达53.1%。