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东芝推出全新1200V和1700V碳化硅MOSFET模块,助力实现尺寸更小,效率更高的工业设备

2022/01/27
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阅读需 3 分钟
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东芝电子元件及存储装置株式会社(“东芝”)今日宣布,推出两款全新碳化硅SiCMOSFET双模块---“MG600Q2YMS3”和“MG400V2YMS3”:前者额定电压为1200V,额定漏极电流为600A;后者额定电压为1700V,额定漏极电流为400A。作为东芝首批具有上述额定电压的产品,它们与之前发布的MG800FXF2YMS3共同组成了1200V、1700V和3300V器件产品线。

这两种新模块在安装方式上兼容广泛使用的硅(Si)IGBT模块。两种新模块的低损耗特性满足了工业设备对提高效率、减小尺寸的需求,例如用于轨道车辆的转换器逆变器以及可再生能源发电系统。

  • 应用:

用于轨道车辆的逆变器和转换器

可再生能源发电系统

电机控制设备

高频DC-DC转换器

  • 特性:

安装方式兼容Si IGBT模块

损耗低于Si IGBT模块

MG600Q2YMS3

VDS(on)sense=0.9V(典型值)@ID=600A,Tch=25℃

Eon=25mJ(典型值),Eoff=28mJ(典型值)@VDS=600V,ID=600A,Tch=150℃

MG400V2YMS3

VDS(on)sense=0.8V(典型值)@ID=400A,Tch=25℃

Eon=28mJ(典型值),Eoff=27mJ(典型值)@VDS=900V,ID=400A,Tch=150℃

-    内置NTC热敏电阻

  • 主要规格:

(除非另有说明,@Tc=25℃)

*本文提及的公司名称、产品名称和服务名称可能是其各自公司的商标。

*本文档中的产品价格和规格、服务内容和联系方式等信息,在公告之日仍为最新信息,但如有变更,恕不另行通知。

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