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成果简介
针对通用半导体照明,以SiC为衬底采用MOCVD方法外延GaN基蓝光LED芯片,并结合YAG荧光粉研制白光LED器件。在SiC衬底上采用AlN和梯度AlGaN缓冲层技术,进行GaN基蓝光LED全结构生长,获得了高效的蓝光外延片。进一步,采用蓝光芯片加YAG荧光粉制备了白光LED芯片,其测试结果显示基于SiC衬底得到的白光LED光效达131 lm/W,处于国内领先水平。
成果成熟度
可产业化
应用领域及市场前景
本项目瞄准半导体照明的高端应用-通用照明,主要应用于取代传统的照明灯具,以及提供应用于高效大功率照明环境的照明灯具,可推动我国汽车照明用LED产业的发展,带来巨大的社会和经济效益。
合作方式
技术转让、技术作价入股
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