加入星计划,您可以享受以下权益:

  • 创作内容快速变现
  • 行业影响力扩散
  • 作品版权保护
  • 300W+ 专业用户
  • 1.5W+ 优质创作者
  • 5000+ 长期合作伙伴
立即加入
  • 正文
  • 相关推荐
  • 电子产业图谱
申请入驻 产业图谱

Arasan推出超低功耗D-PHY IP

2021/12/13
218
阅读需 3 分钟
加入交流群
扫码加入
获取工程师必备礼包
参与热点资讯讨论

/美通社/ -- 面向当今片上系统(SoC)市场的领先Total IP™解决方案提供商Arasan Chip Systems宣布,其重新设计的第二代MIPI D-PHYSM IP核立即可用于格罗方德(GlobalFoundries)12nm FinFET工艺节点。 Arasan是GlobalFoundries的合作伙伴,后者赞助了多款测试芯片,使Arasan的IP硅得以验证并用于GlobalFoundries 12nm工艺。 

这款面向GlobalFoundries 12nm FinFET工艺节点的第二代MIPI D-PHYSM在Arasan的硅验证第二代MIPI D-PHYSM架构上开发,专注于超低功耗,同时优化了面积。 这使得这款D-PHYSM IP核非常适合用于功耗至关重要的可穿戴设备物联网显示应用。D-PHYSM IP核具有容错功能,也面向已迅速采用Arasan IP的汽车SoC应用。 

用于GF 12nm的Arasan MIPI D-PHYSM的速度高达每通道2.5Gbps,符合MIPI D-PHYSM v1.2规范。GF 12nm D-PHYSM是一款通用PHY IP,也可配置为独立的发射器接收器。 

Arasan的MIPI D-PHYSM可与Arasan的MIPI CSI® IP和DSI® IP无缝集成,为成像和显示应用提供了完整的IP解决方案。  Arasan还提供用于GF 12nm的eMMC PHY + eMMC控制器IP以及NAND控制器IP + NAND Flash PHY。Arasan将在2022年通过MIPI C-PHYSM/D-PHYSM Combo IP和4.5gbps版本D-PHYSM IP扩展其GlobalFoundries 12nm产品。

相关推荐

电子产业图谱