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SiP封装是将多种功能芯片，包括处理器、存储器等功能芯片集成在一个封装内，从而实现完整的功能。与SoC（SystemOnChip，系统级芯片）相对应。不同的是系统级封装是采用不同芯片进行并排或叠加的封装方式，而SoC则是高度集成的芯片产品。
随着终端电子产品往多功能化、智能化和小型化方向发展，SiP和SoC成为终端电子产品持续提升性能的两个重要方向。SoC是将系统所需的组件高度集成到一块芯片上，而SiP是从封装的立场出发，将多个具有不同功能的有源电子元件与可选无源器件，以及诸如MEMS或者光学器件等其他器件组装到一起，实现一定功能的单个标准封装模组。不管是摩尔定律推动的SoC，还是先进封装推动的SiP，结果都是系统的复杂性增加。
根据Yole的数据，SiP封装市场的年价值预计将从2020年的140亿美元增加到2026年的190多亿美元。
Yole Développement分析师瓦伊巴夫·特里维迪表示，市场涵盖手机多模集成和高性能die-to-die芯片集成。
增长最快的是高端SiP，预计2020年至2026年，其复合年均增长率为9%。手机领域的低端RF SiP市场预计同期复合年均增长率为5%。
SiP技术包括：flip-chip，wire bond-based packaging，fan-out basedmulti-die form factors ，embedded die formats。
SiP市场的flip-chip和wire bond-based packaging预计在2026年将达到170亿美元，占5%。embeddeddie formats预计在 2026 年将达到 1.89 亿美元，复合年均增长率为 25%。预计到 2026 年，SiP 市场将达 16 亿美元，复合年均增长率为 6%。
SiP 仍然是一个关键平台，因为它允许OEM 客户将一个或多个功能集成到基于基板的封装上，而不是将其集成为打印电路板上的谨慎组件。
图：2017 至 2025 年SiP技术路线图的关键参数
随着 SiP 组件数量的增加，许多设备晶圆都采用了flip-chip bumping或ball-drop工艺，因为这些可以部署在 SiP 封装中，而不是使用wire-bonding来连接die。
"在技术和路线图方面，SiP平台继续推动边界在竞赛中产生更密集、更薄、更小的形式因素。这些新的工艺技术包括双面成型技术，消除底部die的填充不足操作，从而改善成本结构和制造效率，"Yole分析师Favier Shoo在一份声明中说。
在封装高度方面，预计OSAT 将在未来几年内为 SiP 设备推动 0.6mm 的总封装高度。英特尔和三星等 IDM 正在推动混合die-to-die互连堆叠封装，如英特尔的 Foveros 架构和三星的 x-cube架构。
