韩媒：三星3nm制程可能先产自家芯片 后用于代工

三星3nm GAA工艺成功流片，让外界不免对其潜在的首批客户多有猜测。但有消息称，三星可能会率先采用3nm制程生产自家芯片，之后才会应用到客户的产品。

据BusinessKorea报道，三星电子近期发布了晶圆代工事业蓝图，预计今年下半年量产第一代4nm芯片、2022年量产第二代4nm芯片，2023年量产第二代3nm制程，并未提及第一代3nm芯片的量产计划。据其此前说法，计划2022年起导入3nm制程技术。

一些分析师指出，三星并未揭露关于第一代3nm芯片量产计划，可能是规划先在自家设计的芯片上采用这项制程技术，之后再应用于代工客户的芯片。

利用3nm制程技术生产的芯片，比5nm制程生产的芯片缩小35%，但效能和电池效率分别提升15%和30%。台积电也正研发3nm制程技术，目标在明年导入。

三星将在3nm制程中采用环绕式栅极晶体管（GAA），而非使用鳍式场效应晶体管（FinFET）。与FinFET不同，GAA能把晶体管闸极的接触面和通道增加至四个，凭借增加一个以上的接触面来助提高效能。