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与非网7月5日讯 国内半导体材料厂商南大光电在互动平台上表示，公司旗下的ArF光刻胶产品拿到小批量订单，不过他们没有透露具体的客户名单。
今年5月份，南大光电发表公告，控股子公司宁波南大光电自主研发的ArF光刻胶继2020年12月在一家存储芯片制造企业的50nm闪存平台上通过认证后，近日又在逻辑芯片制造企业55nm技术节点的产品上取得了认证突破，表明公司光刻胶产品已具备55nm平台后段金属布线层的工艺要求。
在光刻工艺中，光刻胶被均匀涂布在衬底上，经过曝光(改变光刻胶溶解度)、显影(利用显影液溶解改性后光刻胶的可溶部分)与刻蚀等工艺，将掩膜版上的图形转移到衬底上，形成与掩膜版完全对应的几何图形。
当前，市面上的光刻胶包括g线、i线、KrF、ArF四种，ArF光刻胶是其中最高阶的产品，其产品应用的工艺跨度较广，不管是高端的7nm，还是14nm，乃至90nm技术节点的芯片制造都需要用到这款材料。而全球光刻胶市场主要被JSR、信越化学等欧美日等国的企业所“瓜分”。
值得注意的是，在南大光电顺利推出ArF光刻胶产品之后，越来越多投资机构也注意到了南大光电这家企业。就在7月1日，财信证券还对这家企业给予推荐评级。截至7月2日收盘，南大光电报收36.52元/股。
此前南大光电曾在公告中表示，ArF光刻胶涵盖的工艺技术很广，可用于90nm-14nm甚至7nm 技术节点制造工艺，广泛应用于高端芯片制造（如逻辑芯片、 存储芯片、AI 芯片、5G 芯片和云计算芯片等）。
根据南大光电此前公告，ArF 光刻胶的市场前景好于预期。随着国内 IC 行业的快速发展，自主创新和国产化步伐的加快，以及先进制程工艺的应用，将大大拉动光刻胶的用量。
早期因为光刻胶被垄断，我国ArF的供给率都达不到5%，关于g线和i线的自给率都达不到20%，好在南大光电现在已经成功突破了技术屏障，生产出了符合高端芯片的ArF光刻胶。
在技术屏障被打破的同时，也要打开市场，否则技术不能变现，对于一个企业来说没有任何作用，而现在南大光电不仅突破了技术屏障，更是已经实现了订单的突破，证明了一件事情，证明了我国光刻机行业的可持续发展，并且告别了光刻机垄断的局面！
订单开始之后，将向世界证明中国光刻胶的技术实力，让世界知道我们光刻胶已经在逐步崛起！
