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在过去的几十年中摩尔定律一直引领着半导体产业的发展，但近些年，第一、二代半导体材料工艺已经接近物理极限，时至今日再要往前迈进一步，工艺技术的复杂程度将呈现出指数级的上升趋势，半导体领域进入后摩尔时代。
去年2月，小米在年度旗舰手机小米 10 发布会上同步发布了一款Type-C 65W 快速充电器，该款充电器采用了GaN（氮化镓）工艺，这也是全球首次有企业将GaN的概念带入到了消费级市场。这一典型事件也给GaN在内的第三代半导体市场带来了生机，资金流入进入正轨。
根据第三代半导体产业技术创新战略联盟秘书长于坤山分享的数据，“去年在第三代半导体领域，包括GaN和SiC（碳化硅），共有23项投资，总投资额是694亿，其中GaN相关的有144亿，SiC相关的有550亿。”
正是在这样的大环境下，致力于8英寸Si基GaN领域的IDM厂商英诺赛科成立，并茁壮成长。就在2021年6月5日，英诺赛科迎来了里程碑的时刻，这个一期投资80亿元，用地213亩的英诺赛科苏州项目，自18年6月奠基，19年8月主厂房封顶，再到20年9月设备搬入后，正式开始大规模量产。根据官方消息，2021年英诺赛科可实现产能爬坡达6000片/月，项目全部达产后将实现年产能78万片8英寸Si基GaN晶圆，年产值120亿元，利税15亿元以上。
与量产发布会同时举办的还有英诺赛科位于苏州吴江的研发楼奠基仪式，出席仪式的包括上海市政府副秘书长、市发改委主任、长三角一体化示范区执委会主任华源，英诺赛科董事长骆薇薇，苏州市人大常委会副主任沈国芳，吴江区委书记李铭，国家集成电路产业投资基金股份有限公司总裁丁文武，长三角一体化示范区执委会副主任、江苏省发展改革委员会副主任唐晓东，苏州市工业和信息化局局长万利，英诺赛科总经理孙在亨，吴江区委常委、汾湖高新区党工委书记、管委会主任张炳高，第三代半导体产业技术创新战略联盟理事长吴玲，吴江区委常委、副区长钱宇，韩国SK集团大中华区总裁吴作义，招银国际首席投资官王红波等许多来自政府、半导体产业、金融投资等领域的领导与专家。
作为公司代表，英诺赛科CEO孙在亨在分享中表示，“半导体Si材料在经历了70年的开发后，到达了它的材料极限，我们未来的发展需要新的半导体材料，对比Si材料，它们将具有更高的耐温性、效率、功率密度、更快的开关速度以及更小的尺寸。在过去的两年中，Si基GaN市场应用取得了突破，开始从消费到工业和汽车领域过渡，比如PD快充、激光雷达、手机、5G新能源汽车、无线充电数据中心等。我认为GaN将是半导体未来10年增长最快的领域，呈现指数级的增长。为了迎接GaN时代的到来，英诺赛科已经做好准备。2017年底，英诺赛科成功建成了世界首条8英寸GaN产线，并成功推出了从低压到高压的系列产品。而今，经过1000多个日日夜夜的努力，全世界最大的GaN工厂——英诺赛科苏州工厂即将量产，三年前设定的目标实现了。”
作为半导体行业领路人，国家集成电路产业投资基金股份有限公司总裁丁文武表示，“第三代半导体在我们国家还是一个逐渐在发展的领域，英诺赛科的量产是我们国家在化合物半导体领域的一个里程碑，英诺赛科已经成长为我国GaN领域的最大的企业。在国际形势非常严峻的半导体领域，作为创造者的一份子，我们的企业要为国家在半导体方面的发展做出贡献。”
作为政府代表，吴江区委常委钱宇表示，“去年11月，英诺赛科作为吴江示范区一周年现场会的重要展示项目，不负区委区政府的嘱托，受到了国家发改委执委会等与会各方的好评，今天英诺赛科8英寸GaN产品迈向量产，标志着研发与生产之间的无缝衔接。科技与经济之间的全面转化，将进一步筑牢吴江战略性新兴产业的版图，引领带动经济社会高质量发展。”他希望英诺赛科苏州研发大楼能成为其创新的发源地，形成各类要素的强磁场，助力汾湖高新区成为第三代半导体行业技术和产能的集聚地。
作为投资方代表，招银国际首席投资官王红波表示，“第三代半导体还属于非常早期阶段，招银是英诺赛科最早的投资人，是从一张PPT开始投资，2017年来到吴江，这块地还是一片荒芜，四年来我们坚定不移，累积给英诺赛科投资了14亿。对于一个优秀的投资人来说，我们的价值不仅在于累积的财富，更在于把资源配置给最优秀的企业家，然后和他们一起改变世界。就像15年，我们作为宁德时代最早、最大的投资人，我们不仅收到了500亿的回报，更重要的是我们一起改变了动力电池和清洁能源这个行业一样。今天，我们也希望能和英诺赛科一起改变世界。”
作为产业界的代表，第三代半导体产业技术创新战略联盟理事长吴玲表示，“英诺赛科发展到今天，除了偶然性，其中也不乏必然性，因为第三代半导体它有巨大的市场，比如碳达峰、碳中和下的以新能源为主体的新型电力系统的需求，这是市场拉动的一个非常典型的发展过程。今天英诺赛科量产和研发楼奠基仪式同时举行，很有意思。根据国家十四五的研发计划，我认为英诺赛科将在服务器和电源领域发挥龙头的作用。”她还强调，过去是科技部主管单位，现在是科技部、工信部双主管单位的2030新材料的国家重大专项中，六个内容，其中第三代半导体就占据一席，需要材料和装备的突破。英诺赛科8英寸Si基GaN的量产走在了世界的前列，但是国家化合物半导体，特别是第三代半导体的发展路途还很漫长，在功率半导体包括SiC衬底等未来颠覆性技术上，与国际的差距仍然很大，研发体系和产业生态都有很大的问题。不过，今天英诺赛科在量产的同时，再来夯实研发力量，这是明智之举。
结语
目前，英诺赛科已被国家四部委(发改委、工信部、财政部、海关总署)列入重点支持的0.25微米以下的集成电路企业，是国内第一个通过国家发改委窗口指导的第三代半导体项目；同时，作为苏州市独角兽培育企业，英诺赛科承担了多个国家部委及省相关部门的重点研发项目。而研发楼的奠基，也预示着在未来，会有更多创新的花朵绽放在这片沃土之上。
