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1、「天科合达」荣获 2020 年度中国科学院科技促进发展奖
2021 年 1 月 15 日，中国科学院 2021 年度工作会议在京召开，会议颁发了中国科学院 2020 年度各类科技奖项，北京天科合达公司和中国科学院物理研究所的“碳化硅晶体生长和加工技术研发及产业化团队”荣获 2020 年度中国科学院科技促进发展奖。
“碳化硅晶体生长和加工技术研发及产业化团队”
荣获 2020 年度中国科学院科技促进发展奖
天科合达是专业从事第三代半导体碳化硅单晶衬底和外延研发、生产和销售的国家级高新技术企业，是全球碳化硅单晶衬底和外延的主要生产商之一。经过多年研发投入和技术积累，公司形成拥有自主知识产权的“PVT 碳化硅单晶生长炉制造技术”、“高纯度碳化硅生长原料合成技术”、“PVT 碳化硅晶体生长技术”、“低翘曲度碳化硅晶体切割技术”、“碳化硅晶片精密研磨抛光技术”和“即开即用的碳化硅晶片清洗技术”等六大核心技术体系，覆盖“设备研制—原料合成—晶体生长—晶体切割—晶片加工—清洗检测”的碳化硅晶片生产的全流程。
2、比亚迪、中车时代电气同时宣布上市
1 月初，比亚迪公告称，公司董事会会议审议通过了《关于拟筹划控股子公司分拆上市的议案》，董事会同意公司控股子公司比亚迪半导体股份有限公司（以下简称“比亚迪半导体”）筹划分拆上市事项，并授权公司及比亚迪半导体管理层启动分拆比亚迪半导体上市的前期筹备工作。无独有偶，中车时代电气也在港交所发布公告称，该公司就建议发行 A 股向上交所提交包括 A 股招股说明书（申报稿）在内的申请材料，上交所已予以受理并依法进行审核。2019 年中国新能源车 IGBT（即绝缘栅双极型晶体管）市场中，比亚迪半导体的市场份额排名第二，中车时代电气也占据了一定的市场份额。业内人士分析，政策支持叠加市场需求的大背景下，2021 年功率半导体有望迎来高景气周期，产业链相关企业上市，无疑将会加速其分享功率半导体行业红利的进程。
3、青铜剑第三代半导体产业基地举行奠基仪式
1 月 18 日上午，青铜剑第三代半导体产业基地奠基仪式在深圳坪山隆重举行，标志着青铜剑集团发展迈入新阶段。青铜剑第三代半导体产业基地是深圳市 2020 年重大项目，位于坪山区丹梓大道与光科三路交汇处西南角，占地 8073.79 平方米，总建筑面积近 5 万平方米，预计 2022 年底完工。该基地将作为青铜剑科技集团总部，同时建设第三代半导体研发中心、车规级碳化硅功率器件封装线和中欧创新中心孵化器等，最终形成国内领先的具备全产业链研发和生产制造能力的第三代半导体产业基地。
4、泰科天润陈彤：力争浏阳项目春节前投产，满产后年产值预计 13 亿至 14 亿元
浏阳泰科天润碳化硅芯片项目
泰科天润浏阳项目位于浏阳经开区（高新区）新能源标准厂区内，如今 90%的生产设备已到位，大部分设备处于工艺调试阶段。项目建成满产后可实现 6 万片 / 年的 6 英寸碳化硅功率芯片生产及销售。这意味着，项目一旦投产，将打造一条极具市场竞争力的碳化硅功率器件生产线。依托这样争分夺秒的发展速度，泰科天润有信心以最快的速度改变欧美国家对我国高端功率器件的长期垄断格局，突破行业领域技术壁垒等问题。
5、科锐推出新型 Wolfspeed WolfPACK SiC 功率模块
1 月 12 日，科锐宣布推出 Wolfspeed WolfPACK™ 功率模块，扩展其解决方案范围，并为包括电动汽车快速充电、可再生能源和储能、工业电源应用在内的各种工业电源的性能开启新时代。该新型 SiC 模块实现功率密度最大化，并在标准尺寸内简化设计，显著加快新一代技术的生产和推出，赋能包括非车载充电和太阳能解决方案在内的众多快速增长的工业市场。
6、汽车厂商押注碳化硅
1 月中旬，据韩媒报道，LG 集团旗下子公司硅芯片有限公司（Silicon Works）日前宣布扩大其半导体业务，重点押注碳化硅 PMIC 以及 MCU。据了解，硅芯片公司此前更常以其驱动 IC 产品被业界所熟知。此次大动作转向碳化硅芯片领域，不仅透露了其对从 LG 集团分拆后的发展规划，更是从侧面印证了碳化硅正在成为汽车领域冉冉升起的新星。自从 2016 年 4 月，特斯拉 Tesla Model 3 中率先采用了以碳化硅 SiC MOSFET 为功率模块的逆变器之后，截至当前，全球已有超过 20 家汽车厂商在车载充电系统中使用碳化硅功率器件。
7、新型金刚石 MOSFET 可提供更高效率
加的斯大学（UCA）的一组研究人员设计了一种基于高效半导体材料的电子晶体管，该晶体管具有新颖的结构，可应用于能源领域，例如风能和光伏电站以及电动汽车。随着金刚石的掺入，研究人员在器件效率方面取得了显着改善，从而将电力变压器的重量和能量损失减少多达 90％。 该器件的特性还使其在新结构中具有更大的通用性，使其成为电子工业领域，尤其是能源领域的真正有价值的产品。
8、山东国宏中能年产 11 万片碳化硅衬底片项目启动试生产
1 月 15 日，由国宏中宇科技发展有限公司控股，山东国宏中能科技发展有限公司投资建设的年产 11 万片碳化硅衬底片项目在山东河口经济开发区建成并启动试生产。山东国宏中能年产11 万片碳化硅衬底片项目总投资 6.5 亿元，总建筑面积 3 万平方米。该项目于 2020 年 2 月入选山东省新旧动能转换重大项目库第一批优选项目名单，是市、区两级重点项目。通过在材料制备技术体系、核心装备研制上的持续科研投入，同时紧密结合研发成果的产业化生产转化，目前本项目已经具备投产条件。本项目整体两期规划建设完毕并全部投产后，预计平均年营业收入约7 亿元，企业年纳税总额约 5000 万元，新增中高端就业岗位超过 200 个。
9、我国在氮化镓界面态研究方面取得重要进展
近日，微电子所高频高压中心刘新宇研究员团队与先导中心工艺平台合作，在 GaN 界面态研究领域取得了重要进展，在 LPCVD-SiNx/GaN 界面获得原子级平整界面和国际先进水平的界面态特性，提出了适用于较宽能量范围的界面态 U 型分布函数，实现了离散能级与界面态的分离。
原子级平整界面、先进水平界面态密度及 U 型分布函数
相关论文连接：
https://www.sciencedirect.com/science/article/abs/pii/S0169433220332888
10、苏州纳维科技第三代半导体产业基地在苏州园区奠基
1 月 24 日上午，苏州工业园区科技领军人才企业苏州纳维科技有限公司举行总部大楼奠基仪式。项目占地面积超 1.4 万平方米，总建筑面积超 3.4 万平方米，建成后，年产氮化镓单晶衬底及外延片可达 5 万片。苏州纳维科技 2007 年由中科院苏州纳米所徐科研究员创立，致力于第三代半导体核心关键材料——氮化镓（GaN）单晶衬底的研发与产业化。
11、北京：加速第三代半导体等领域技术和产品的研发过程
2021 年 1 月 20 日上午，国务院新闻办公室举行新闻发布会，介绍落实五中全会精神，加快推进北京国际科技创新中心建设的有关情况。会上，北京市副市长、秘书长靳伟表示，到 2025 年，北京国际科技创新中心基本形成。到 2035 年，北京国际科技创新中心创新力、竞争力、辐射力全球领先，形成国际人才的高地，切实支撑我国建设科技强国。未来五年，北京要进一步坚持“锻长板”与“补短板”并重，立足科技自立自强，坚持有所为、有所不为，围绕“四个面向”，开展重点领域关键核心技术研发工作，加速第三代半导体等领域技术和产品的研发过程。
12、工信部：海思、中芯国际等 90 家单位申请筹建“全国集成电路标准化委员会”
1 月 28 日，工信部官网消息，为统筹推进集成电路标准化工作，加强标准化队伍建设，有关单位提出了全国集成电路标准化技术委员会筹建申请，秘书处拟设在中国电子技术标准化研究院，公示期一个月。对外公开的委员单位包括深圳市海思半导体、大唐半导体、华大半导体、展锐通信等 90 家。工信部表示，集成电路作为信息产业的基础和核心，在国民经济和社会发展中占有举足轻重的地位，建立一个自主创新能力不断提高、产业规模不断扩大的集成电路产业体系，对促进新兴产业快速发展、支撑国家信息化建设，促进国民经济和社会持续健康发展具有重要的意义。
13、Cree 将改名 Wolfspeed，全面拥抱 SiC
1 月 29 日上午，Cree 在其官方微信号表示：“我们预计将于 2021 年底正式更名为Wolfspeed。我们的团队对于创新和超越可能极限的承诺将始终不变。作为碳化硅 SiC 产业的全球引领者，我们已经做好准备，在未来赋能实现开创性的、高效节能的变革！”Wolfspeed 位于美国北卡罗来纳州三角研究园，过去近三十年来一直属于 Cree 公司，是碳化硅功率器件和碳化硅基氮化镓射频功率解决方案的主要供应商之一。其核心竞争力包括碳化硅晶圆衬底制造，以及面向射频功率器件、包含单晶氮化镓层的碳化硅晶圆衬底制造。
14、2020 年化合物半导体行业年度十大事件
1⃣️第三代半导体产业或将写入“十四五规划”
2⃣️长沙三安 160 亿第三代半导体项目开工
3⃣️Cree 推进建造全球最大 SiC 器件制造工厂
4⃣️华为投资入股北京天科合达、全芯微电子、瀚天天成
5⃣️全球最大氮化镓工厂落地苏州，一期投资 60 亿
7⃣️日本研发长晶新技术，1 小时可制成优质 GaN 基底
8⃣️稳懋投 850 亿新台币建厂
9⃣️比亚迪将自建 SiC 产线
