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CINNO Research 产业资讯，美国美光科技开始提速 EUV DRAM。加入到三星电子、SK 海力士等全球第一、第二 EUV 厂商选择的 EUV 阵营后，后续 EUV 竞争或将更为激烈。
根据韩媒 etnews 报道，美光科技通过多个网站开始招聘 EUV 设备开发负责工程师。美光的公告显示：招聘负责美光 EUV 设备 Scaner 技术开发，管理 EUV 系统和与 ASML 的沟通的人才。工作地点为美光总部美国爱达荷州(Idaho)的博伊西(Boise)。
美光是继三星电子和 SK 海力士之后，以 20%的全球市占率排第三的 DRAM 厂商。本月初时美光中国台湾 DRAM 工厂还因停电一小时导致工厂停产。截止到 3 季度时较好业绩备受业界瞩目。且在 Nand Flash 领域，也率先发布了全球首款 176 层产品。
公司与其他 DRAM 厂商一样，投产 10 纳米级 3 代（1z）产品作为新品。计划明年上半年量产 4 代（1a）DRAM。
但与三星电子、SK 海力士不同，并无计划在 1a DRAM 产品上使用 EUV 技术。
最近 EUV 制程备受被称之为 IT 设备大脑的集成芯片领域的青睐，短期内有望渗透至 DRAM 其他层。但相比 ArF 制程，技术难度仍高、且设备运营费用也相对更高。
而根据美光公开的资讯显示，考虑到费用和成本、技术限制等原因，次次时代 DRAM ‘1-β’产品前并无计划采用 EUV 制程。
美光副总裁 Scott DeBoer 表示过：会分析多方面因素后，从 1-δ （10 纳米 7 代）产品开始导入 EUV 制程。
本次的招聘公告显示出公司将通过招聘精通于 EUV 技术的专家累计技术，以确保在最佳时机导入 EUV 制程的战略。 未来美光正式跨入 EUV DRAM 量产市场后，Memory 市场中 3 家竞争将更为激烈。
在 DRAM 市场占比 40%，排名第一的三星已经通过 1z 产品上导入 EUV 技术宣示技术领先差距，且计划在明年上市的 1a 产品 EUV 制程比重也是业界关注的焦点。
而 SK 海力士也正忙于明年导入 1a DRAM 的 EUV 制程。SK 海力士计划明年在京畿道黎川新 DRAM 工厂 M16 中搬入新 EUV 系统，为 EUV 技术量产而努力。
