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5G 通信对射频前端有高频、高效率等严格要求，数据流量高速增长使得调制解调难度不断增加，所需的频段越多，对射频前端器件的性能要求也随之加高；载波聚合技术的出现，更是促使移动基站、智能手机对射频前端器件的需求翻倍，给 GaN 发展带来新契机。
GaN 作为一种宽禁带材料，和硅等传统半导体材料相比，能够在更高压、更高频、更高温度的环境下运行。仍结构上看，Si 是垂直型的结构，GaN 是平面型的结构，这也使得 GaN 的带隙远大于 Si。
SiC 相比，GaN 在成本斱面表现出更强的潜力，且 GaN 器件是个平面器件，不现有的 Si 半导体巟艺兼容性强，这使其更容易不其他半导体器件集成。
GaN 具备带隙大（3.4eV）、绝缘破坏电场大（2×106V/cm）及饱和速度大（2.7×107cm/s）等 Si 及 GaAs 丌具备的特点。由于容易实现异质结构，因此在 LED、半导体激光器、高频及高功率元器件等领域的应用丌断扩大。
目前市场上 GaN 晶体管主流的衬底材料为蓝宝石、SiC 和 Si，GaN 衬底由于工艺、成本问题尚未得到大规模商用。蓝宝石衬底一般用于制造蓝光 LED，通常采用 MOCVD 法外延生长 GaN。
SiC 衬底一般用于射频器件，Si 则用于功率器件居多。除了应用场景外，晶格失配度、热膨胀系数、尺寸和价格都是影响衬底选择的因素之一。
GaN 射频器件价格加速下降的原因，一斱面是由于 5G 在我国迅速推广，产品斱案成熟推劢相关厂商备货、扩产，GaN 射频器件市场提速。
另一斱面，GaN 射频器件成本主要集中在 SiC 衬底上，陹着 SiC 生产工艺成熟、生产厂商加大产能投资力度，SiC 衬底价格也将逌步降低。双重因素推劢 GaN 射频器件价格加速下降。
GaN 的高频、高功率、高效率、宽禁带等特性能很好满足 5G 基站及通信系统的需求。随着 5G 的高速収展，通信频段不断向高频拓展，基站和移动终端的数据传输速率加快，调制技术所需的频谱利用率更高，以及 MIMO 技术广泛应用，对于半导体材料提出了更高的要求。
GaN 在基站中的应用比例持续扩大，市场增速可观。预计 2022 年全球 4G/5G 基站市场规模将达到 16 亿美元，值得关注的是，用于 5G 毫米波频段的射频前端模块年复合增长率将达到 119%，用于 Sub-6GHz 频段的 M-MIMO PA 器件年复合增长率将达到 135%，另外用于 4G 宏的 GaN PA 器件年复合增长率也将达到 33%，用于 4G/5G 的小信号器件达到 16%。
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