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与非网 9 月 20 日讯，9 月 19 日在深圳举办的中国闪存技术峰会上，长鑫存储副总裁、未来技术评估实验室负责人平尔萱博士进行了《DRAM 技术趋势与行业应用》的演讲。
平尔萱博士表示，随着数据量的增加，数据处理能力就需要相应的加强，因此需要更强大的 CPU，同时存储器的数据容量、读写速度也需要加强。因此近年来对 DRAM 的要求也在持续提高。
在此次会议上，平尔萱博士对奇梦达 DRAM 也有提及。他表示，在 DRAM 技术的演进过程中，曾经的 DRAM 巨头奇梦达提出的埋入式电栅三极管概念给整个产业带来了巨大的贡献。
DRAM 技术在发明之后的几十年里，经历了从平面结构向空间争取表面积的沟槽式电容及堆叠式电容的架构。
而奇梦达 DRAM 技术也是利用空间，将三极管的性能提升，这种提升随着线宽的减少越来越重要。此外，近代 DRAM 产品也都沿用了这个概念。
长鑫的技术来源已经不是秘密，此前在 GSA+Memory 存储峰会上，长鑫存储的董事长兼 CEO 朱一明发表了《中国存储技术发展与解决方案》主题演讲，提到了长鑫的 DRAM 内存技术来源，主要就是已破产的奇梦达公司，获得了一千多万份有关 DRAM 的技术文件及 2.8TB 数据，在此基础上改进、研发自主产权的内存芯片，耗资超过 25 亿美元。
奇梦达已经破产多年，他们的内存技术实际上停留在了前几代的水平，平尔萱博士称长鑫已经借助先进的设备将奇梦达 46nm 工艺水平的内存芯片推进到了 10nm 级别。
不过公开报道中没有说明平尔萱博士所说的 10nm 级别到底是什么水平，理论上 20nm 之后的都可以叫做 10nm 级，但三星是在 20nm、18nm 之后发展了 1Xnm、1Ynm、1Znm，从 1Xnm 工艺才开始称作 10nm 级内存。
结合之前的报道，长鑫公司今年底会量产 19nm 工艺、8Gb 核心的 DDR4 内存芯片，不知道这个内存是否就是平尔萱博士所说的 10nm 级内存。
不论是 19nm 还是其他工艺的内存，总体来说国内公司如果能在年底量产 10nm 级别的内存，起点还是非常高的，与国际先进水平的差距也就 2-3 年的样子，这个水平相比其他芯片的差距就小太多了。
在谈到 DRAM 技术未来发展时，平尔萱博士表示，DRAM 是有极限的，通过改进可以将极限推迟，例如导入 EUV 及 HKMG 三极管以缩小线宽及加强外围电路性能。此外，EUV 主要是针对阵列，外围线路的增强及微缩也是近来 DRAM 技术发展的另一个机会。
平尔萱博士也强调，继续推进 DRAM 技术的发展，还需要在新材料、新架构上进行更多探索，也需要加强与其他企业的合作。回顾过去几十年的 DRAM 发展，证明 IDM 是发展 DRAM 的必然选择，而这正是长鑫存储从一开始建立就坚持的。
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