物联网高速增长为 FD-SOI 带来机遇，22FDX 有 50% 以上流片来自中国

与非网 9 月 17 日讯，格芯在 2015 年 7 月正式宣布了 22FDX 制程，其最大特点是全球第一家达成 22 纳米 FD-SOI（完全空乏型硅绝缘层金氧半电晶体元件），仍然采用平面型电晶体的制程，整体复杂度和成本都大大低于其他竞争对手 16/14 纳米制程。

在昨日举行的第七届上海 FD-SOI 论坛上，格芯高级副总裁 Americo Lemos 指出，高速增长的物联网市场将会为 FD-SOI 带来巨大的发展机遇，未来 FD-SOI 工艺也将为物联网产业提供更低功耗，更安全的解决方案。

比如在诸如物联网，无人机等诸多细分市场，FD-SOI 都有着巨大的发展空间。同时，随着这些市场对于通信能力的需求，RF-SOI 在 5G/4G 市场也有着不错的发展，据 Americo Lemos 介绍，目前，RF-SOI 已经出货超过 500 亿片，IP 方面则已经拥有 285 个。

此外，Americo Lemos 还表示，FD-SOI 工艺在中国市场的发展良好，2019 年，22FDX 50%以上的流片都是来自中国客户，数量上也相对于 2018 年也有了较大幅度的增长。

最后，Americo Lemos 强调，虽然格芯近两年来一直处于业务转变的道路上，战略上基于优化结构和效益的转变也很多，但是对于 FD-SOI 的支持和生态系统的建设不会停止。

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