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长鑫存储亮相GSA存储峰会,公开研发成果进展

2019/05/15
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2019 年 5 月 15 日,长鑫存储董事长兼 CEO 朱一明先生在上海举办的 GSA MEMORY+峰会上,发表了《中国存储技术发展与解决方案》主题演讲,阐述新时代下中国存储器市场的巨大需求和发展机遇。
 
朱一明在演讲中强调,长鑫存储建立了严谨合规的研发体系并结合当前先进设备完成了大幅度的工艺改进,开发出独有的技术体系,拉近了与世界先进水平的技术差距。目前研发投入支出超过 25 亿美元。
 
 
 
 
 
朱一明表示,长鑫存储的最初技术来源是奇梦达,通过与奇梦达合作,将一千多万份有关 DRAM 的技术文件(约 2.8TB 数据)收归囊中。
 
长鑫存储在此基础上,通过国际合作,前期利用合作伙伴 ASML 的研发线,展开世界速度的快速迭代研发,据悉,目前已持续投入研发的晶圆超过 15000 片。
 
 
长鑫存储

长鑫存储

2016年5月,长鑫存储技术有限公司的事业在安徽合肥启动。作为一体化存储器制造商,公司专业从事动态随机存取存储芯片(DRAM)的设计、研发、生产和销售。DRAM 产品广泛应用于移动终端、电脑、服务器、虚拟现实和物联网等领域。

2016年5月,长鑫存储技术有限公司的事业在安徽合肥启动。作为一体化存储器制造商,公司专业从事动态随机存取存储芯片(DRAM)的设计、研发、生产和销售。DRAM 产品广泛应用于移动终端、电脑、服务器、虚拟现实和物联网等领域。收起

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“芯思想semi-news”微信公众号主笔。非211非985非半导体专业非电子专业毕业,混迹半导体产业圈20余载,熟悉产业链各环节情况,创办过半导体专业网站,参与中国第一家IC设计专业孵化器的运营,担任《全球半导体晶圆制造业版图》一书主编,现供职于北京时代民芯科技有限公司发展计划部。邮箱:zhao_vincent@126.com;微信号:门中马/zhaoyuanchuang