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在功率元器件领域中，SiC 作为新一代材料备受瞩目，与传统使用的 Si 相比，SiC 元器件实现低导通电阻、高速开关、高温工作。且使用 SiC 元器件能让设备变得更小、功耗更低。因具备高耐压、高耐热性，使得之前不能使用的小空间和严酷环境下的安装成为可能。以汽车为例，应用于混合动力汽车、电动汽车，可大幅度降低油耗，扩大室内空间。用于太阳能发电时，功率损耗率能减少 50%，有望为地球环境问题的缓解做出巨大贡献。这就使得这个新型材料器件非常适合于在电源、汽车、铁路、工业设备、家用消费电子设备等各个领域。尤其是今年来随着电动车等产业的发展要求，市场对 SiC 的需求大增。
据麦姆斯咨询分析，2018 年全球有超过 20 家的汽车业者，在 OBC 中使用 SiC 肖特基二极管(Schottky Diodes)或 SiC MOSFET；未来 SiC 功率半导体在 OBC 市场中有望以 CAGR 44%的速度成长至 2023 年。麦姆斯也指出，未来将有愈来愈多的汽车制造商会在主逆变器中采用 SiC 功率半导体，特别是中国车商，近几年更是纷纷考虑使用 SiC 功率元件，因此，2017~2023 年，SiC 功率元件在主逆变器市场的 CAGR，更可能高达 108%。这就推动市场的爆发性进展。
面对这样的成长态势，SiC 功率器件厂商正在积极布局。
ST 公司总裁兼首席执行官 Jean-Marc Chery
“此前，电力设备被认为是智能基础设施和智能家居的推动者，但 ST 的管理团队已经意识到，能源管理将是宽禁带材料未来的关键驱动力，”近日，在 ST 一场关于 SiC 功率器件的发布会上，ST 公司总裁兼首席执行官 Jean-Marc Chery 向与非网记者表示，“在高压电力设备领域 SiC 功率器件将成为游戏规则改变者，ST 作为这项技术的先驱，希望能快速取得领先地位，让市场占有率达到 30%以上。”在他眼里，“ST 一定要成为高压设备的领导者。”
Jean-Marc Chery 于 2018 年 5 月就任 ST 新一任首席执行官，就内部人士介绍，Jean-Marc 在帮助 ST 摆脱 ST-E 造成的巨额亏空阶段立下汗马功劳，在他的努力下，大概 3 年前 ST 终于扭亏为盈，进入了快速增长期，Jean-Marc 也因此得到董事会的信任得以接任首席执行官。Jean-Marc 提到，“去年管理层更换后，我们重新审视了 ST 的战略，决定将重点放在物联网和智能驾驶上，并决定在物联网和智能驾驶上增加对电源管理的投入。”
从这场发布会看来，显然，ST 制定了一份野心勃勃的计划，以期控制电动汽车和其他高压应用的碳化硅电力市场。
要实现这一目标，SiC 功率器件技术、产品和生产上的瓶颈就成为 ST 必需克服的难关。而众所周知，目前限制 SiC 功率器件产能的最关键因素是 SiC 晶圆的生产周期过长、产能受限。由于碳化硅需要在 2000°C 以上高温（硅晶仅需在 1500°C），以及 350MPa 以上才能达成。若透过添加一些特殊的助烧剂，或者气体沉积的方式，则可使碳化硅烧成温度降到 2000°C 左右，且在常压就能进行。依据目前的硅晶圆产业的生产情况，一般而言，生产 8 寸的硅晶棒，需要约 2 天半的时间来拉晶，6 寸的硅晶棒则需要约一天。接着，待晶棒冷却之后，再进行晶圆的切片和研磨。至于碳化硅晶圆，光长晶的时间，就约需要 7 至 10 天，而且生成的高度可能只有几寸而已（硅晶棒可达 1 至 2 米以上），再加上后续的加工制程也因为硬度的影响而相对困难，因此其产能十分有限，品质也不稳定。
而 SiC 晶圆供应商，目前全球仅约有三、四家（Cree、Norstel、新日铁住金等）能提供稳定的产量。这就可以理解，近日 ST 的几个市场动作，包括意向收购 Norstel AB 55%的股权，以及与 Cree 签订多年 SiC 晶圆供货协议，都旨在保持稳定的上游供货渠道，从而保证 SiC 功率器件的产能。
ST 公司汽车和分立器件部门总裁 Marco Monti
此次发布会所在的意大利西西里岛卡塔尼亚市，就坐落着 ST 最重要的 SiC 晶圆和芯片生产厂。ST 公司汽车和分立器件部门总裁 Marco Monti 介绍，卡塔尼亚工厂自 2003 年以来开始生产碳化硅，从 2 英寸的晶圆开始，现在可处理 6 种由包括 Cree 在内的许多供应商生产的碳化硅晶圆。除了正在讨论收购的挪威 Norstel 的大部分股份，Marco 也表示 ST 正推动供应商合作伙伴生产 8 英寸 SiC 晶圆，用于大批量生产。“这样做的目的是要满足多供应商原则，实现垂直整合，在内部保证 SiC 功率器件的产能目标。”
ST 公司位于卡塔尼亚的工厂的生产路线图
ST 公司 SiC MOSFET 产品路线图
而在 Marco 看来，除了晶圆产能的限制，SiC 功率器件的生产过程也有很大难度，包括前道工序的衬底缺陷、衬底透明度、掺杂剂活化，以及后道工序的硅片减薄、镀金属、晶圆完成度等方面都需要精细的工艺技术支持。“ST 是 SiC 工艺方面的专家，与供应商有良好的合作伙伴关系，同时保证研发和生产之间的紧密协作，这些都为我们成为 SiC 功率器件的领导者提供了保障。”
ST 公司销售、市场、沟通和战略发展总裁 Marco Cassis
ST 公司销售、市场、沟通和战略发展总裁 Marco Cassis 从市场和应用的角度表示，根据 iHS Markit 的预测，SiC 功率器件的市场容量将在 2025 年达到 37 亿美元以上，在汽车和工业市场上都将得到广泛应用，其中电动和混合动力汽车占比将接近 70%，传统的 IGBT 正被 SiC MOSFET 取代，“ST 目前在汽车市场是全球最大的 SiC 功率器件供应商，2018 年营收超过 1 亿美元，预计 2019 年营收将超过 2 亿美元。”支持其作出这一乐观估计的是这样一组数据，“全球超过 20 家汽车制造商已经采用 ST 的产品，包括 8 家欧洲车企将在 2019-2020 年上量，与雷诺 - 日产 - 三菱联盟在多个 SiC FET/ 二极管项目上开展合作，与现代起亚共同开发多个项目。”
SiC 器件市场容量预测（来源 iHS Markit）
而透过 ST 这场 SiC 功率器件的媒体沟通会，以及众多芯片厂商对 SiC 功率器件的竞逐，笔者看到的是汽车电子市场的竞争正日益白热化。一方面随着汽车的电动化，电源和功率器件在整车成本中的比重在不断增加，让芯片厂商把竞争焦点集中在此，另一方面，汽车级电源和功率器件对工艺、新材料等的高要求也让这块市场的门槛不断提高，芯片厂商之间也出现越来越明显的成本和资源对抗。
相信未来，围绕汽车电子，尤其电源和功率器件领域，芯片厂商之间的这场争夺战会越来越热闹。
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