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2018 年 5 月 18 日，中芯集成电路制造（绍兴）有限公司首个 8 寸厂房项目举行奠基仪式。中芯国际联席首席执行官赵海军博士主持，中芯国际首席财务官高永岗博士、战略发展中心资深副总裁葛红、绍兴市委书记马卫光、市长盛阅春出席。
中芯国际联席首席执行官赵海军博士表示，“中芯绍兴项目从 3 月 1 日签署合资协议至举行奠基仪式，只有短短 79 天，这充分体现了绍兴市政府在发展集成电路产业上的决心和务实高效的作风。中芯国际对这个项目充满信心，将尽力扩大市场份额、不断完善产品链，快速占据国内市场领导地位，使中芯绍兴与中芯国际实现产业链上的差异化互补和协同发展，打造一个国内领先、世界一流的特色工艺半导体企业，为实现中国智造做出贡献。”
中芯国际联席首席执行官赵海军博士致辞
绍兴市委书记马卫光在奠基仪式上表示，“绍兴市高度重视与中芯国际合作打造的集成电路产业化项目，将其作为产业转型升级的重大战略性举措。我们将制定及不断完善集成电路产业扶持政策，系统地、持续地加大对集成电路产业的投入，相信不久的未来中国特色工艺集成电路的核心基地将在这里崛起。”
市委副书记、市长盛阅春指出，中芯国际作为世界领先的集成电路芯片制造企业，此次落户绍兴，既充分体现了对绍兴这方创业热土的厚爱、对绍兴未来发展的信心，也必将为我们打造电子信息集群、构建现代化产业体系注入强大动力。全市上下要当好“东道主”，按照“最多跑一次”改革理念路径，积极提供全方位、全过程的优质服务，推动项目尽快开花结果，实现企业壮大与地方发展的互利共赢！希望中芯国际及项目总包施工方秉承“百年大计、质量为先”宗旨，精心组织好项目施工，努力创造匠心工程、百年工程！
据悉，中芯绍兴项目主要面向微机电和功率器件集成电路领域，专注于晶圆和模组代工，持续投入研发并致力于产业化，将建设并形成一个综合性的特色工艺基地，快速占据国内市场领导地位。项目计划于 2019 年 3 月完成厂房结构封顶，9 月设备搬入，2020 年 1 月正式投产。项目总工期约 450 天，EPC 总承包为信息产业电子第十一设计研究院科技工程股份有限公司。
中芯国际近年来在加速开发尖端工艺（28 纳米、14 纳米）时，在特色工艺领域也有颇多建树。
SPOCULL TM 是公司的一种特殊工艺技术。SPOCULL 是指：SMIC POly Contact for Ultra Low Leakage。SPOCULLTM 中包括两个工艺平台： 95HV 和 95ULP。SPOCULL TM 技术提供了在 8 寸半导体代工技术中最高的器件库密度和最小的 SRAM。同时 SPOCULL TM 技术还具有极低的漏电流，低功耗和低寄生电容的优秀的半导体晶体管特性。
95ULP 超低功耗技术平台主要支持物联网相关方面的应用。通过进一步降低产品操作电压、工艺器件优化和 IP 设计优化，极大减低产品的动态功耗和静态功耗，延长系统待机时间和使用效率，并通过整合射频和嵌入式存储器技术，优化成本结构和安全性能。在 12 寸工艺平台上, 中芯国际也推出 55 纳米 ULP 超低功耗技术平台。
CMOS 图像传感器(CMOS Image Sensor, CIS)：SMIC 拥有十年以上的制造经验。目前，公司为客户提供 1.75 微米 /1.4 微米像素尺寸的背面照射（BSI）和 1.75 微米像素尺寸的正面照射技术。同时也可以为客户提供从晶片、彩色滤光片、微透镜到封装测试的一站式服务。
IGBT：中芯国际 IGBT 平台从 2015 年开始建立，着眼于最新一代场截止型（Field Stop）IGBT 结构， 采用业界最先进及主流的背面加工工艺，包括 Taiko 背面减薄工艺，湿法刻蚀工艺、离子注入、背面激光退火及背面金属沉积工艺等。已完成整套深沟槽（Deep Trench）+薄片（Thin Wafer）+场截止（Field-Stop）技术工艺的自主研发，并相应推出 600~1200 等器件工艺，技术参数可达到业界领先水平。
不单是中芯国际，对于国内乃至全球多家半导体公司而言，都非常重视特色工艺领域，这与近几年来物联网、智能汽车应用的兴起，对于特色工艺需求增温，有着紧密关系，这些市场应用不依赖高端的 28/14/10/7 纳米工艺技术。
华虹半导体也于 4 月 3 日在无锡开工建设 12 寸厂（HH FAB 7），一期投资 25 亿美元，新建一条 12 英寸“超越摩尔”特色工艺集成电路生产线，采用先进工艺 90～65/55 纳米、月产能约 4 万片，支持 5G、汽车电子和物联网等新兴领域的应用，2019 年底投产后将逐步导入华虹半导体的三大特色工艺平台（嵌入式非挥发性存储器；功率半导体；模拟及电源管理、逻辑与射频）。
2017 年 12 月 19 日，杭州士兰微电子宣布与厦门半导体投资集团签署投资合作协议，拟在厦门建设两条以 MEMS、功率器件为主的 12 寸集成电路制造生产线。项目拟投资 170 亿元，一期规划建设第一条 12 寸 90-65nm 特色工艺生产线，规划产能每月 8 万片，产品定位为 MEMS、功率半导体器件及相关产品。
2018 年 5 月，英飞凌也宣布在奥地利新建一座 300 毫米薄晶圆的全自动芯片工厂，主力产品就是功率器件半导体产品。该工厂总投资约为 16 亿欧元，计划在六年内完成。建设工程计划于 2019 年上半年启动，预计将于 2021 年初开始投产。新工厂在产能达产后，每年收入约为 18 亿欧元。
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