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下半年存储器涨势迎拐点,但2017全年价格涨幅仍十分可观

2017/07/19
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市场调研机构 IC Insights 表示,2017 年 DRAM 和 NAND闪存销售额都将创出历史新高,而 DRAM 和 NAND 闪存创新高的原因都是由于价格疯涨。该机构预计,2017 年 DRAM 出货量同比下降,而 NAND 闪存也仅增长 2%,闪存出货量增长对存储器销售额创新高虽然是正面作用,但并非主要原因。

存储器价格上涨始于 2016 年第二季度,到 2017 年上半年为止,每季度价格都持续向上走。如图所示,从 2016 年第三季度,到 2017 年第二季度,DRAM 价格季度平均增长率为 16.8%,NAND 闪存价格季度平均增长率为 11.6%。

从 2016 年第三季度 DRAM 平均售价疯涨开始,DRAM 制造商又开始步入加码投资周期,不过这一轮 DRAM 厂商投资大部分都花在了升级技术方面,并没有盲目扩充产能。

IC Insights 判断,2017 年闪存厂商绝大部分资本支出都投入在 3D NAND 工艺技术上。为提升其位于韩国平泽市巨型新工厂的产能,2017 年三星在 NAND 闪存上的资本支出将同比大幅上升。


从历史数据来看,价格上涨周期带来的投资扩产冲动,通常会造成产能过剩,产能过剩程度越高,将来价格下跌也会越猛烈。三星、SK 海力士、美光、英特尔、东芝 / 闪迪、武汉新芯 / 长江存储,以及可能出现的中国资本支持的新玩家,都提出了雄心勃勃的 3D NAND 生产计划,未来几年 3D NAND 闪存产能出现过剩的概率非常高。

IC Insights 收集的数据显示,DRAM 的平均售价增长率峰值出现在 2016 年第四季度,但直到 2017 年第二季度,涨势都很强劲。该机构预测,2017 年第三季度 DRAM 价格还能维持些许涨势,但第四季度将出现微跌,标志这轮涨价周期即将终结。

虽然 2017 年下半年 DRAM 涨势趋缓,但 IC Insights 预计全年涨幅仍将达 63%,这是自该机构从 1993 年开始追踪 DRAM 市场数据以来的最高涨幅,此前记录是 1997 年的 57%。

NAND 闪存 2017 年价格涨幅也将创纪录地达到 33%。不过,在 2000 年,NOR 型闪存还主导市场时,其平均售价一年涨幅达到了 52%。

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