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Gartner 今年年初发布预估报告指出，经过 2015、2016 年的小低潮后，全球半导体产业将在 2017 年再度出现高达 7.2%的成长，总市场规模可望达到 3,641 亿美元。随着物联网、汽车电子等市场的逐渐升温，半导体产业将迎来新的发展契机。同时，加之新增产能的开出后，中国乃至全球晶圆产线的陆续开建投产，使得半导体设备厂商企业获得更多益处，竞争也随之变得激烈。
据资料显示，应用材料公司是全球最大的半导体与显示行业设备制造供应商，为了实现制造比半导体通常所用厚得多的外延薄膜来制造更高性能的器件，推出了一款可同时用于薄与厚硅外延层的全新高产能 EPI 腔体。全新的 Applied Centura® Pronto™ EPI ATM 腔体的薄膜生长速率超过每分钟 6 微米，能利用出色的化合物反应效率在单道工序中生成 20-150 微米的硅外延层，在提高生成率的同时，降低了生产成本。
应用材料全球服务产品事业部设备产品部 200 毫米半导体及晶圆厂解决方案部门的副总裁兼总经理
原铮博士
正如应用材料公司全球服务产品事业部设备产品部 200 毫米半导体及晶圆厂解决方案部门的副总裁兼总经理原铮博士所说：“应用材料公司凭借自己在行业 20 年来的经验，重新设计了 200 毫米 Epi 腔体，形成了一套高生产力的 Centura Epi ATM 解决方案，能够在同一个腔体内实现宽范围的 Epi 厚度，并将薄膜生长速率提高 30%，化学品消耗降低 25%，运行成本降低 30%，从而为晶圆制造商和器件制造商提高经济且高效的 Epi 工艺能力。”目前看来，这也是唯一能够在同一腔体内生产薄和厚（<1—150 微米）外延的设备。
在腔体升级方面，改进了全套工艺组件的几何尺寸，这样，三氯氢硅（TCS）前体更有效地纳入了晶圆表面上方的反应区，就提高了薄膜生长速度，由此也降低了 TCS 的成本。
Centura 平台最多可容纳三个全新设计的腔体，该腔体装备了全新的马达驱动的晶片升降装置。在每个腔体中，每片晶圆都搁于承载盘上的凹槽中，承载盘随着前体气流喷入腔体而旋转，启动外延制程。新的圆顶闭环温控软件在功能上具有改善在片性能和提升系统生产率的双重优点。
通过引入全新 Centura® Pronto™ EPI ATM 腔体，应用材料公司对 150 毫米和 200 毫米 Centura EPI 腔体这两项骨干设备做了大幅升级，以满足业界在功率器件和微机电系统应用中使用具有成本效益的厚硅薄膜的需求。在一项 500 晶圆片的耐力测试中，重新设计的腔体在生成 100 微米厚的硅外延层时展现了高于每分钟 6 微米的生长速率，达到了批量制造设备的三倍。此外，腔体的设计和更短的制程推动了三氯氢硅前体的化合效率和效能最优化，使得腔体更清洁，并减少了去除圆顶镀膜所需的盐酸消耗量。这些节约实现了比批量制造设备更低的耗材成本，提高了产量，从而带来了竞争优势。
在相同前体气流下，全新 Applied Centera Pronto EPI ATM Chamber 系统的生长速率比标准外延工艺高 20%，产量比旧系统提升 25%。
一项 500 晶圆片的耐力测试结果表明，全新 EPI 腔体在生成 100 微米厚的硅外延层时，厚度和电阻率的情况
在与媒体的交流中，原铮博士表示：“应用材料公司总裁兼首席执行官盖瑞•迪克森（Gary Dickerson）已经将 7nm/10nm 先进制程工艺、3D NAND FLASH、图形化、先进显示、以及中国市场作为公司未来几年发展五大方向。应用材料公司在西安有 200mm 实验室，在过去几年不断增加研发基地的投入，最新的产品 Centura® Pronto™ EPI 也是在西安的 200mm 实验室研发出来的，很多当地工程师已被培养成了半导体制造产业的骨干。”半导体市场发展瞬息万变，不断创新才能找到自己的立足之路，也正如原铮博士所说，做产品最怕大改，那背后需要改变的东西太多，而在现有基础上做出小改进让效率提高并同时降低了成本，就是一个伟大的创新。
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