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红色供应链来势汹汹，外界原本认为，陆厂要到四五年后才能在记忆体抢下一席之地，不过有分析师预测，陆厂研发脚步迅速，可能 2018 年就能量产 3D NAND。
美系外资晶片设备分析师 Atif Malik 称，中国透过 Rambus 和 Spansion 取得 DRAM 和 NAND 记忆体的技术授权。2 月份，Spansion 和武汉新芯(XMC)签订 3D NAND 研发和交叉授权协定。由武汉新芯出资、Spansion 提供电荷储存式(Charge trap)和浮闸(Floating Gate)的 NAND IP。Malik 表示，他们相信 2017 年底就能取得 48 层 3D NAND 的验证，2018 年进行量产。
目前只有三星有能力量产 48 层 3D NAND，另一记忆体大厂 SK 海力士预料要到今年下半才能生产。
与此同时，Malik 也指出，中国投入半导体市场，对设备商来说短多长空。中国砸钱大买设备建厂，应用材料(Applied Materials)、Lam Research 一开始有望受惠。但是长期而言，设备业者将流失非中国业者订单。这是“零和游戏”，中国订单大增，表示其他记忆体和晶圆代工大厂需要减少资本开支。(注：零和游戏 /zero sum game，一方获利意味另一方将蒙受损失、两者相加的总和永远为零)
他强调，中国加入不会扩大全球半导体设备支出，因为中国向半导体的三大资本开支大厂，采购大量晶片。这三大业者分别是台积电(2330)、英特尔、三星电子。中国计画 2020 年前，国内消费的 40%晶片改为自制。
4 月 12 日有报导，Bernstein 分析师 Mark Newman 表示，记忆体业者自相残杀，等到中国厂商进入市场，情况将急转直下。报告称，中国可能是足以颠覆市场的竞争者，他们财力雄厚，等到供给上线后，市况将惨不忍睹。武汉新芯(XMC)的 3D NAND 技术大约落后领先厂商 4~5 年，他们打算狂烧资本加紧追赶，等到量产之后，市场供给过剩将更加恶化。
目前只有三星有能力制造 3D NAND，其他业者要到今年下半才开始生产。3D NAND 采用较旧制程(35~50 奈米)，业者能以较低成本、提高产能。英特尔主管 David Lundell 表示，预计大连厂会在今年底量产 3D NAND。
